硬盤(pán)磁頭/圖案化盤(pán)面瞬態(tài)接觸的熱力場(chǎng)耦合研究
發(fā)布時(shí)間:2021-04-02 17:11
由于磁記錄介質(zhì)的超順磁效應(yīng),傳統(tǒng)的磁記錄方式已經(jīng)達(dá)到理論極限。為了實(shí)現(xiàn)硬盤(pán)面存儲(chǔ)密度達(dá)到1Tb/in2的目標(biāo),各種磁記錄方案正在探索之中,其中圖案化(bit patterned media, BPM)存儲(chǔ)技術(shù)被認(rèn)為是最有發(fā)展?jié)摿Φ姆较蛑。在硬盤(pán)正常工作過(guò)程中,磁頭與盤(pán)面間的間歇性瞬態(tài)接觸是不可避免的,瞬態(tài)接觸造成的塑性破損和盤(pán)面溫升被認(rèn)為是造成硬盤(pán)數(shù)據(jù)丟失的主要原因之一,由于BPM的磁記錄層是由離散化的磁島構(gòu)成,因而在瞬態(tài)接觸過(guò)程中更易損壞,但目前關(guān)于磁頭/BPM盤(pán)面瞬態(tài)接觸的研究還很少,本文采用有限元方法對(duì)磁頭/BPM盤(pán)面瞬態(tài)接觸的熱力場(chǎng)規(guī)律進(jìn)行了較為全面的研究,具體研究?jī)?nèi)容包括以下幾個(gè)方面:由于BPM盤(pán)面尚在實(shí)驗(yàn)研究階段,構(gòu)成BPM的磁島形狀還沒(méi)有確定,因此本文選取了四種常見(jiàn)的幾何形狀:立方體、圓柱、圓臺(tái)、斜置的立方體,根據(jù)實(shí)際工況和理論模型進(jìn)行合理簡(jiǎn)化,分別建立有限元模型,分析對(duì)比各磁島形狀在瞬態(tài)接觸過(guò)程中的力學(xué)性能,以確定在瞬態(tài)接觸過(guò)程中力學(xué)性能最佳的磁島形狀。為充分揭示瞬態(tài)接觸的熱力場(chǎng)規(guī)律,本文以立方體磁島為例,建立了磁頭/BPM盤(pán)面瞬態(tài)接觸的三維有限元模型,在此基礎(chǔ)上,分...
【文章來(lái)源】:哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:61 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
BPM盤(pán)面示意圖
如圖 1-3 所示,其中主要包括盤(pán)體、主軸電機(jī)、尋道電機(jī)、讀寫(xiě)磁頭及控制電路,外部的機(jī)殼與機(jī)架等。磁頭組件如圖 1-4 所示。圖1-3 硬盤(pán)結(jié)構(gòu)組成圖 圖1-4 硬盤(pán)磁頭組件組成圖目前個(gè)人電腦中所用的各種硬盤(pán)實(shí)際上都是采用“溫徹斯特/Winchester”技術(shù)的硬盤(pán)。其技術(shù)精髓就是“密封、固定并高速旋轉(zhuǎn)的鍍磁盤(pán)片以及徑向移動(dòng)的磁頭”[11]。因此,一般說(shuō)來(lái),無(wú)論哪種硬盤(pán),都是由盤(pán)片、磁頭、盤(pán)片主軸、控制電機(jī)、磁頭控制器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、接口、緩存等幾個(gè)部份組成。在普通工作環(huán)境中,漂浮的塵埃粒子的直徑可達(dá) 40μm,而目前盤(pán)片與磁頭之間的間隙已小于 5nm。如果這種塵;蛘呶畚锫湓谟脖P(pán)盤(pán)片上,磁頭在讀寫(xiě)過(guò)程中碰到該塵埃就會(huì)彈起來(lái),然后再回彈到盤(pán)片上,引發(fā)頭盤(pán)碰撞,因此塵埃是硬盤(pán)的大敵,必須完全密封[9]。磁頭采用接觸式啟停,硬盤(pán)不工作時(shí),各磁頭停靠在位于盤(pán)片中央的起停區(qū)
如圖 1-3 所示,其中主要包括盤(pán)體、主軸電機(jī)、尋道電機(jī)、讀寫(xiě)磁頭及控制電路,外部的機(jī)殼與機(jī)架等。磁頭組件如圖 1-4 所示。圖1-3 硬盤(pán)結(jié)構(gòu)組成圖 圖1-4 硬盤(pán)磁頭組件組成圖目前個(gè)人電腦中所用的各種硬盤(pán)實(shí)際上都是采用“溫徹斯特/Winchester”技術(shù)的硬盤(pán)。其技術(shù)精髓就是“密封、固定并高速旋轉(zhuǎn)的鍍磁盤(pán)片以及徑向移動(dòng)的磁頭”[11]。因此,一般說(shuō)來(lái),無(wú)論哪種硬盤(pán),都是由盤(pán)片、磁頭、盤(pán)片主軸、控制電機(jī)、磁頭控制器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、接口、緩存等幾個(gè)部份組成。在普通工作環(huán)境中,漂浮的塵埃粒子的直徑可達(dá) 40μm,而目前盤(pán)片與磁頭之間的間隙已小于 5nm。如果這種塵;蛘呶畚锫湓谟脖P(pán)盤(pán)片上,磁頭在讀寫(xiě)過(guò)程中碰到該塵埃就會(huì)彈起來(lái),然后再回彈到盤(pán)片上,引發(fā)頭盤(pán)碰撞,因此塵埃是硬盤(pán)的大敵,必須完全密封[9]。磁頭采用接觸式啟停,硬盤(pán)不工作時(shí),各磁頭停靠在位于盤(pán)片中央的起停區(qū)
本文編號(hào):3115641
【文章來(lái)源】:哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:61 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
BPM盤(pán)面示意圖
如圖 1-3 所示,其中主要包括盤(pán)體、主軸電機(jī)、尋道電機(jī)、讀寫(xiě)磁頭及控制電路,外部的機(jī)殼與機(jī)架等。磁頭組件如圖 1-4 所示。圖1-3 硬盤(pán)結(jié)構(gòu)組成圖 圖1-4 硬盤(pán)磁頭組件組成圖目前個(gè)人電腦中所用的各種硬盤(pán)實(shí)際上都是采用“溫徹斯特/Winchester”技術(shù)的硬盤(pán)。其技術(shù)精髓就是“密封、固定并高速旋轉(zhuǎn)的鍍磁盤(pán)片以及徑向移動(dòng)的磁頭”[11]。因此,一般說(shuō)來(lái),無(wú)論哪種硬盤(pán),都是由盤(pán)片、磁頭、盤(pán)片主軸、控制電機(jī)、磁頭控制器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、接口、緩存等幾個(gè)部份組成。在普通工作環(huán)境中,漂浮的塵埃粒子的直徑可達(dá) 40μm,而目前盤(pán)片與磁頭之間的間隙已小于 5nm。如果這種塵;蛘呶畚锫湓谟脖P(pán)盤(pán)片上,磁頭在讀寫(xiě)過(guò)程中碰到該塵埃就會(huì)彈起來(lái),然后再回彈到盤(pán)片上,引發(fā)頭盤(pán)碰撞,因此塵埃是硬盤(pán)的大敵,必須完全密封[9]。磁頭采用接觸式啟停,硬盤(pán)不工作時(shí),各磁頭停靠在位于盤(pán)片中央的起停區(qū)
如圖 1-3 所示,其中主要包括盤(pán)體、主軸電機(jī)、尋道電機(jī)、讀寫(xiě)磁頭及控制電路,外部的機(jī)殼與機(jī)架等。磁頭組件如圖 1-4 所示。圖1-3 硬盤(pán)結(jié)構(gòu)組成圖 圖1-4 硬盤(pán)磁頭組件組成圖目前個(gè)人電腦中所用的各種硬盤(pán)實(shí)際上都是采用“溫徹斯特/Winchester”技術(shù)的硬盤(pán)。其技術(shù)精髓就是“密封、固定并高速旋轉(zhuǎn)的鍍磁盤(pán)片以及徑向移動(dòng)的磁頭”[11]。因此,一般說(shuō)來(lái),無(wú)論哪種硬盤(pán),都是由盤(pán)片、磁頭、盤(pán)片主軸、控制電機(jī)、磁頭控制器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、接口、緩存等幾個(gè)部份組成。在普通工作環(huán)境中,漂浮的塵埃粒子的直徑可達(dá) 40μm,而目前盤(pán)片與磁頭之間的間隙已小于 5nm。如果這種塵;蛘呶畚锫湓谟脖P(pán)盤(pán)片上,磁頭在讀寫(xiě)過(guò)程中碰到該塵埃就會(huì)彈起來(lái),然后再回彈到盤(pán)片上,引發(fā)頭盤(pán)碰撞,因此塵埃是硬盤(pán)的大敵,必須完全密封[9]。磁頭采用接觸式啟停,硬盤(pán)不工作時(shí),各磁頭停靠在位于盤(pán)片中央的起停區(qū)
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