隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,MEMS已成為當(dāng)今的重要發(fā)展方向。實(shí)現(xiàn)MEMS和利用MEMS的重要途徑之一就是微加工技術(shù)。本文主要對(duì)微加工技術(shù)中的光刻技術(shù)和ICP刻蝕技術(shù)進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究,并通過(guò)微加工實(shí)驗(yàn)加工出具有二級(jí)臺(tái)階的硬盤磁頭滑塊。首先,對(duì)微加工技術(shù)的一些方法和原理進(jìn)行了研究。微加工技術(shù)主要包括光刻技術(shù)和刻蝕技術(shù)。其中光刻主要包括掩膜版的設(shè)計(jì)制作、曝光、顯影等主要技術(shù),本課題對(duì)其分別進(jìn)行了詳細(xì)的論述和研究。刻蝕技術(shù)主要包括濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕是一種傳統(tǒng)的純化學(xué)刻蝕,雖然具有設(shè)備簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn),但是也有其缺陷。然后重點(diǎn)介紹了本課題中主要使用的感應(yīng)耦合等離子刻蝕（ICP）,接著研究了曝光時(shí)間和顯影時(shí)間對(duì)光刻質(zhì)量的影響,再通過(guò)單步反應(yīng)離子刻蝕分析ICP刻蝕參數(shù)如何影響刻蝕的速率,并對(duì)具有高深寬比的模型進(jìn)行了交替復(fù)合深刻蝕工藝實(shí)驗(yàn)。最后,根據(jù)多臺(tái)階刻蝕的技術(shù)要求,刻蝕出具有二級(jí)臺(tái)階的硬盤磁頭滑塊,并對(duì)其進(jìn)行形貌分析。 

【文章來(lái)源】：北方工業(yè)大學(xué)北京市

【文章頁(yè)數(shù)】：55 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
目錄
1. 緒論
    1.1 選題背景及目的
    1.2 MEMS加工技術(shù)
        1.2.1 表面微加工技術(shù)
        1.2.2 體微加工技術(shù)
    1.3 微加工技術(shù)的歷史及發(fā)展
    1.4 本課題的主要研究?jī)?nèi)容及意義
2 微加工技術(shù)基礎(chǔ)
    2.1 微加工工藝常用材料
    2.2 光刻技術(shù)基本原理
        2.2.1 光刻膠
        2.2.2 曝光
        2.2.3 掩膜版
        2.2.4 光刻的基本過(guò)程
    2.3 刻蝕技術(shù)基本原理
        2.3.1 濕法刻蝕
        2.3.2 反應(yīng)離子干法刻蝕（RIE）
        2.3.3 感應(yīng)耦合等離子刻蝕（ICP）
    2.4 本章小結(jié)
3 微加工基本實(shí)驗(yàn)的探索
    3.1 影響光刻質(zhì)量的因素
        3.1.1 曝光時(shí)間對(duì)光刻質(zhì)量的影響
        3.1.2 顯影時(shí)間對(duì)光刻質(zhì)量的影響
    3.2 影響ICP刻蝕的因素
        3.2.1 射頻電源功率對(duì)刻蝕速率的影響
        3.2.2 氣體流量對(duì)刻蝕速率的影響
    3.3 本章小結(jié)
4 交替復(fù)合深刻蝕工藝實(shí)驗(yàn)
    4.1 交替復(fù)合深刻蝕工藝原理
    4.2 交替復(fù)合深刻蝕工藝實(shí)驗(yàn)研究及分析
    4.3 本章小結(jié)
5 硬盤磁頭的微加工實(shí)驗(yàn)及結(jié)果分析
    5.1 磁頭掩膜版的制作
        5.1.1 二級(jí)臺(tái)階掩膜版的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記設(shè)計(jì)要求
        5.1.2 磁頭的掩膜版的設(shè)計(jì)
    5.2 磁頭的加工實(shí)驗(yàn)
        5.2.1 實(shí)驗(yàn)步驟及參數(shù)
        5.2.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析
    5.3 本章小結(jié)
結(jié)論與展望
參考文獻(xiàn)
申請(qǐng)學(xué)位期間的研究成果
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3077804