隨著半導(dǎo)體技術(shù)和工藝的發(fā)展越來(lái)越成熟,現(xiàn)代信息的高速發(fā)展對(duì)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)提出了進(jìn)一步的要求,在集成電路的發(fā)展過(guò)程中,存儲(chǔ)技術(shù)始終扮演著對(duì)集成電路發(fā)展非常重要的角色,而半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是電子設(shè)備最基本的元件之一。當(dāng)前常見的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按其存儲(chǔ)特性可以分為易失性和非易失性存儲(chǔ)器兩個(gè)大類,其中易失性存儲(chǔ)器主要有靜態(tài)/動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,非易失性存儲(chǔ)器主要有鐵電存儲(chǔ)器、相變存儲(chǔ)器、磁性存儲(chǔ)器、阻變存儲(chǔ)器、閃存等存儲(chǔ)器。當(dāng)今社會(huì)對(duì)存儲(chǔ)器的要求不僅是更大的產(chǎn)量,還要求更高的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度、更快的讀寫速度。而在傳統(tǒng)閃存器件達(dá)到目前物理工藝極限后,尋找新一代滿足前述需求的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是目前存儲(chǔ)領(lǐng)域的熱點(diǎn)問題。在眾多的存儲(chǔ)器候選者當(dāng)中,阻變存儲(chǔ)器擁有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)而受到了眾多的關(guān)注和研究,其獨(dú)特的三層式結(jié)構(gòu)使得阻變存儲(chǔ)器能夠采用更加簡(jiǎn)單的工藝得到更大的集成密度,這是其可能突破傳統(tǒng)閃存的集成瓶頸的重要原因,阻變存儲(chǔ)器還有眾多優(yōu)勢(shì),例如更快的讀寫速度、更高的數(shù)據(jù)保持性、更穩(wěn)定的數(shù)據(jù)循環(huán)性、更低的能耗、與傳統(tǒng)工藝的兼容性、與柔性襯底的結(jié)合等。因此阻變存儲(chǔ)器已經(jīng)成了存儲(chǔ)器界的優(yōu)秀候選者和研究熱點(diǎn),其中研究方向主要集中于阻變機(jī)制、... 

【文章來(lái)源】：湘潭大學(xué)湖南省

【文章頁(yè)數(shù)】：51 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第1章 緒論
    1.1 引言
    1.2 阻變存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介
        1.2.1 常見阻變材料
    1.3 阻變存儲(chǔ)器制備工藝
    1.4 阻變存儲(chǔ)器常見阻變機(jī)制
        1.4.1 導(dǎo)電細(xì)絲模型
        1.4.2 空間電荷限制電流模型（SCLC）
        1.4.3 肖特基發(fā)射機(jī)制
        1.4.4 電子自旋模型
    1.5 選題意義和研究?jī)?nèi)容
第2章 碲化鉍納米片的制備與表征
    2.1 引言
    2.2 制備方法
    2.3 碲化鉍納米片表征與分析
        2.3.1 碲化鉍納米片掃描電鏡（SEM）測(cè)試
        2.3.2 碲化鉍納米片XRD與拉曼測(cè)試
        2.3.3 原子力顯微鏡（AFM）測(cè)試
    2.4 小結(jié)
第3章 基于抽濾轉(zhuǎn)移方法的碲化鉍阻變存儲(chǔ)器
    3.1 引言
    3.2 器件的制作
    3.3 阻變性能測(cè)試與分析
    3.4 小結(jié)
第4章 碲化鉍/海藻酸鈉阻變存儲(chǔ)器
    4.1 引言
    4.2 實(shí)驗(yàn)部分
    4.3 結(jié)果與分析
        4.3.1 海藻酸鈉阻變存儲(chǔ)器
        4.3.2 海藻酸鈉/碲化鉍阻變存儲(chǔ)器
    4.4 小結(jié)
第5章 碲化鉍/PVP阻變存儲(chǔ)器
    5.1 引言
    5.2 器件的制作
    5.3 阻變性能測(cè)試與分析
    5.4 小結(jié)
第6章 總結(jié)與展望
    6.1 總結(jié)
    6.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的論文



本文編號(hào)：3029155