全球電子信息科技迅速發(fā)展,小范圍到生活中智能手表、手機、筆記本電腦、數(shù)碼相機和GPS定位系統(tǒng)等,大到航空、航天、航海等各大領(lǐng)域,電子產(chǎn)品已然無處不在。與此同時,人們對體積小、方便攜帶、快捷的電子產(chǎn)品提出了更高的要求。為了滿足使用者的需求,電子產(chǎn)品的心臟（具有體積小、高密度、高速度、高數(shù)據(jù)保持、低功耗和低成本的非揮發(fā)型存儲器）成為學(xué)者們的研究方向。目前,存儲器有兩大熱點研究:一是基于傳統(tǒng)浮柵存儲器結(jié)構(gòu)改進的電荷俘獲型存儲器（Charge Trapping Memory,CTM）,二是打破傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)全新的非揮發(fā)型存儲器。特別是電荷俘獲型存儲器秉承了傳統(tǒng)的浮柵存儲器其外圍電路、存儲陣列和制備工藝,因而其因能和傳統(tǒng)半導(dǎo)體CMOS工藝相兼容,同時具有低操作電壓、低功耗和高抗疲勞等性能而受到廣泛關(guān)注。電荷俘獲型存儲器具有良好的應(yīng)用前景,相信在未來將成為存儲器發(fā)展的一大趨勢。電荷俘獲型存儲器由襯底、隧穿層、俘獲層、阻擋層和電極層這五部分構(gòu)成。其存儲原理是通過俘獲層獨特材料具有的缺陷來實現(xiàn)分立式電荷存儲。此類存儲方式有效地提高了存儲器件的抗疲勞特性,并且有利于隧穿層厚度的減薄。然而,經(jīng)調(diào)查發(fā)現(xiàn)目前研究的... 

【文章來源】：河北大學(xué)河北省

【文章頁數(shù)】：61 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

傳統(tǒng)浮柵存儲器立體結(jié)構(gòu)示意圖

第一章 緒 論一直以來，半導(dǎo)體存儲市場總收入雖然有過低谷，但總體來看呈持續(xù)增長趨勢。隨著全球電子科技的快速發(fā)展，各國需求迅速上升。相信在未來的幾年內(nèi)，半導(dǎo)體存儲市場仍能繼續(xù)保持增長的大趨勢。半導(dǎo)體存儲器按照數(shù)據(jù)保持特性可分為非揮發(fā)型存儲器和揮發(fā)型存儲器，如圖 1-2 所示。非揮發(fā)型存儲器（NVM）是指切斷電源后，存儲器存儲的信息還能繼續(xù)保留，不會隨時間的推移而消失[1]。非揮發(fā)型存儲器包括傳統(tǒng)的非揮發(fā)型存儲器，如：可擦除可編程只讀存儲器（EPROM），帶電可擦寫可編程只讀存儲器（EEPROM）以及 Flash 存儲器；和新興非揮發(fā)型存儲器，如：電荷俘獲存儲器（CTM）、磁隨機存儲器（MRAM）、阻變存儲器（RRAM）、鐵電存儲器（FRAM）

圖 1-3 相變存儲器結(jié)構(gòu)示意圖電極、電阻（加熱器）、絕緣體、無定的，如圖 1-3 器件單元結(jié)構(gòu)示意圖。其態(tài)（低電阻態(tài)）與非晶態(tài)（高電阻態(tài)）,信息的讀取靠測量電阻的變換來完成[的過程稱為 SET 過程（寫入“1”）；而將ET 過程（寫入“0”）。具體過程為[6]：施加一個通常在約 10ns 的窄而強的脈度上升高到熔點以上,隨后通過一個以大為非晶態(tài)，此時存儲器件有很高的電阻加一個通常幾十納秒寬而弱的脈沖,當(dāng)點以下時,材料便逐漸結(jié)晶,漸漸轉(zhuǎn)變成于“1”態(tài)。

【參考文獻】：
期刊論文
[1]石墨烯氧化物薄膜電極的光電化學(xué)特性(英文)[J]. 張曉艷,孫明軒,孫鈺珺,李靖,宋鵬,孫通,崔曉莉.  物理化學(xué)學(xué)報. 2011(12)

博士論文
[1]高-k氧化物介質(zhì)在電荷俘獲型存儲器件的應(yīng)用研究[D]. 龔昌杰.南京大學(xué) 2014
[2]電荷俘獲型存儲器阻擋層的研究[D]. 金林.安徽大學(xué) 2012

碩士論文
[1]高介電鉭鈦復(fù)合氧化物在電荷俘獲型存儲器中的應(yīng)用研究[D]. 魏春陽.南京大學(xué) 2017
[2]基于Ba0.6Sr0.4TiO3和Zr0.5Hf0.5O2薄膜的存儲特性研究[D]. 李玉成.河北大學(xué) 2016
[3]鐵基磁性薄膜和鐵磁微粉/石蠟復(fù)合材料的制備及微波性能研究[D]. 龔露倩.蘭州大學(xué) 2012



本文編號：2990961