半導(dǎo)體快閃記憶器因讀寫(xiě)高速和操作便攜廣泛應(yīng)用于工商業(yè)領(lǐng)域各類電子設(shè)備中,在航空遙感測(cè)繪的多光學(xué)傳感器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方面,傳統(tǒng)單通道存儲(chǔ)電路對(duì)多存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的快速轉(zhuǎn)存讀取帶來(lái)極大不便。本文基于USB Hub控制芯片、讀卡控制芯片和多路復(fù)用器芯片設(shè)計(jì)了一種可擴(kuò)展的SDIO接口的多存儲(chǔ)器雙通道讀寫(xiě)電路。實(shí)驗(yàn)證明,該電路有效提升了分布式傳感器數(shù)據(jù)集中讀取的便攜性,具有重要的工程應(yīng)用價(jià)值。 

【文章來(lái)源】：?jiǎn)纹瑱C(jī)與嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用. 2020年09期

【文章頁(yè)數(shù)】：4 頁(yè)

【部分圖文】：

數(shù)據(jù)分布式轉(zhuǎn)存集中讀取電路拓?fù)鋱D

圖4為雙向多路復(fù)用電路圖，SDIO2＿D0～D3、SDIO2＿CMD、SDIO2＿CK信號(hào)線都使用100kΩ電阻上拉至3.3V，以增強(qiáng)電路的驅(qū)動(dòng)能力。圖5為ESD接口保護(hù)電路，U5和U6為保護(hù)器件，為可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)操作提供靜電保護(hù)。該器件應(yīng)選擇結(jié)電容較小的器件，否則會(huì)造成讀寫(xiě)SD卡失敗等現(xiàn)象，推薦使用NXP的PESD3V3L4UG。

在信號(hào)源端阻抗低于傳輸線特征阻抗時(shí)，通過(guò)在信號(hào)源端和傳輸線之間串接一個(gè)電阻R，使源端的輸出阻抗與傳輸線的特征阻抗相匹配，抑制從負(fù)載端反射回來(lái)的信號(hào)發(fā)生再次反射。匹配電阻值與驅(qū)動(dòng)器的輸出阻抗之和應(yīng)等于傳輸線的特征阻抗。該方式的優(yōu)點(diǎn)是消耗功率小，不會(huì)給驅(qū)動(dòng)器帶來(lái)額外的直流負(fù)載，也不會(huì)在信號(hào)和地之間引入額外的阻抗[12]，但是在鏈狀拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的網(wǎng)路中不太適用。圖4 雙向多路復(fù)用電路圖

【參考文獻(xiàn)】：
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