靜態(tài)隨機存儲器作為半導體存儲器中最主要的存儲器,被廣泛應于各類航天器和衛(wèi)星的控制系統(tǒng)中。對集成電路的輻射效應研究已經(jīng)進行了20余年,并在各類軌道的衛(wèi)星上和各種加速器上進行了多種芯片的輻射效應試驗。本文設計了一款輻射加固SRAM,并針對不同的輻射效應對集成電路有著類似的影響,設計了相應的輻射效應測試系統(tǒng)對其功能和性能進行測試。 本文的主要工作包括: 1、分析了存儲單元的抗輻射加固原理和常用方法。采用設計加固的TMR、HIT、DICE和10T單元,基于商用0.18um CMOS工藝設計了一款1KB大小的抗輻射SRAM,完成了芯片的設計和流片。 2、總結了SRAM在輻射效應下失效的模式,設計了一款可以用于輻射環(huán)境下進行不同輻射效應試驗的測試系統(tǒng)。介紹了輻射效應測試系統(tǒng)的硬件、軟件的構成和相關的測試技術。并詳細闡述了對抗SEL斷電保護電路的模擬驗證。使用輻射效應測試系統(tǒng)對流片后的SRAM的常規(guī)性能和功能進行測試,測得SRAM正常工作時的的IO工作電流和內(nèi)核工作電流:分別為38.3mA和10.0mA。并使用該系統(tǒng)驗證了SRAM的功能,讀寫功能均正常。 3、分析了國內(nèi)輻射效應試驗環(huán)境,對SRAM功能測試進行了詳細闡述。介紹了輻射效應試驗的流程和所需設備,給出了芯片脈沖激光輻射試驗的SEL試驗結果:SRAM的IO和內(nèi)核的SEL閾值分別為23.1MeV·cm~2/mg和4.2MeV·cm~2/mg。
【學位單位】：國防科學技術大學
【學位級別】：碩士
【學位年份】：2010
【中圖分類】：TP333

【引證文獻】

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1 陳江璋;;基于SRAM的FPGA抗SEU加固技術分析研究[J];價值工程;2012年33期

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2 金作霖;柵氧退化效應下SRAM軟錯誤分析與加固技術研究[D];國防科學技術大學;2011年

本文編號：2826112