多端口SRAM的測(cè)試與診斷技術(shù)研究
【學(xué)位授予單位】:南京航空航天大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2011
【分類號(hào)】:TP333
【圖文】:
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端口 SRAM 的故障測(cè)試展開研究,所以先介紹雙端口 SRAM統(tǒng)的認(rèn)識(shí)。雙端口 SRAM 包括與時(shí)鐘異步的類型和與時(shí)鐘同M 在從左右兩個(gè)端口向同一地址訪問發(fā)生沖突時(shí),利用 BUSY型雙端口 SRAM 的各引腳信號(hào)都是利用時(shí)鐘進(jìn)行采樣操作,不。本文介紹異步類型雙端口 SRAM 的工作原理,如圖 1.2 所
有的器件將賦予 LEFT 端口訪問的權(quán)限,而向有的器件會(huì)賦予 RIGHT 端口訪問的權(quán)限,而向 LEFT 端(M/S)信號(hào)功能,以從屬器件追隨主器件的仲裁功能的RAM 允許通過兩個(gè)端口同時(shí)對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行存取,它的存倍。目前,這種存儲(chǔ)器已被廣泛的應(yīng)用在多處理器系統(tǒng)、當(dāng)中,另外在不同時(shí)鐘域下的數(shù)據(jù)通信等場(chǎng)合也得到了廣介紹電路存儲(chǔ)數(shù)據(jù),通過在字線和位線上施加電壓和電流可以不同,SRAM 主要有 3 種形式的存儲(chǔ)單元[5]:采用 PMO利用大電阻 HRL(high resitive load)作負(fù)載的存儲(chǔ)單元ransistor)作負(fù)載的存儲(chǔ)單元。用電阻作負(fù)載的存儲(chǔ)單元靜的場(chǎng)合。用薄膜晶體管作負(fù)載可減小單元面積,但電流驅(qū)壓上應(yīng)用較為廣泛。本文簡(jiǎn)單介紹標(biāo)準(zhǔn) 8 管 CMOS 型存
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