針對(duì)ARM CA5處理器的系統(tǒng)級(jí)低功耗設(shè)計(jì)
【學(xué)位授予單位】:西安電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號(hào)】:TP332
【圖文】:
在功耗組成方面,重點(diǎn)分析和研究了 CMOS 動(dòng)態(tài)和靜態(tài)以及功耗的影響因素,從而得到各個(gè)影響因素對(duì)功耗的作用。在低據(jù)芯片設(shè)計(jì)流程,從最初的系統(tǒng)級(jí)到最終的物理級(jí)進(jìn)行了分析對(duì)行比較,結(jié)合本研究課題,選擇適合本課題的低功耗技術(shù)。OS 電路功耗的組成S 電路功耗的主要來(lái)自于這兩種:靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗。同時(shí),根不同,我們又將動(dòng)態(tài)功耗細(xì)分為動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)功耗與動(dòng)態(tài)短路功耗[111 動(dòng)態(tài)功耗功耗一部分是由于輸入端信號(hào)的變化時(shí),輸出端有電容充放電而動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)功耗;另一部分是在輸入端信號(hào)變化的過(guò)程中,N MOS通,產(chǎn)生了從電源到地的通路,而引起的功耗損失,稱為動(dòng)態(tài)短 動(dòng)態(tài)短路功耗產(chǎn)生原理
西安電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文.1 中所示,當(dāng) CMOS 的輸入為非理想的階躍脈沖時(shí),在輸入信降邊沿的瞬間,輸入端會(huì)經(jīng)過(guò) P 管和 N 管同時(shí)導(dǎo)通的電壓區(qū)路功耗。其表達(dá)式為:maxshortsc DDP t V I fsct 是短路時(shí)間,DDV 為電源供電電壓,maxI 是短路電流和充放時(shí)鐘頻率。 動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)功耗產(chǎn)生原理
圖 2.3 多電源電壓結(jié)構(gòu)示意圖上圖所示,在多電源電壓結(jié)構(gòu)示意圖中,關(guān)鍵路徑的 Cache RAMS 模塊由最1.2V 供電,系統(tǒng) CPU 模塊處于 1.0V 的電壓環(huán)境下運(yùn)行,而對(duì)性能影響較小 SoC 的供電電壓為最小的 0.9V。由此,這三部分的電壓就可以單獨(dú)進(jìn)行控,實(shí)現(xiàn)電壓動(dòng)態(tài)管理。2) 實(shí)現(xiàn)技術(shù)前系統(tǒng)級(jí)的低功耗技術(shù)實(shí)現(xiàn)技術(shù)和方式有下列幾種: 固定電壓機(jī)制:為芯片中的不同模塊劃分為不同的電壓域,采用的不同壓來(lái)供電,但模塊電壓不支持電壓源切換[13]。 可切換電壓機(jī)制:根據(jù)芯片的功能,將芯片中的不同模塊設(shè)定為不同的壓域,每個(gè)模塊為單獨(dú)的電壓域,模塊的電壓支持電壓源的切換,但只是幾個(gè)設(shè)定的電壓值之間[14]。 動(dòng)態(tài)電壓和頻率調(diào)節(jié)機(jī)制 DVFS:系統(tǒng)功耗控制單元 SPCU 根據(jù) CPU工作負(fù)載狀態(tài)來(lái)動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)提供給 CPU 的工作電壓和時(shí)鐘頻率,電壓和
【參考文獻(xiàn)】
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本文編號(hào):2792123
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