基于嵌入式技術(shù)的高精度恒溫系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
【學(xué)位授予單位】:南京信息工程大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2011
【分類號(hào)】:TP368.1
【圖文】:
器53C2440實(shí)現(xiàn)溫度控制,具有系統(tǒng)擴(kuò)展性強(qiáng)、可靠性高、測量和控制精度較高、多任務(wù)實(shí)時(shí)調(diào)度、響應(yīng)速度快、體積小等特點(diǎn),為用戶提供了一種新型的高精度溫度控制方案。本系統(tǒng)硬件整體結(jié)構(gòu)框圖如圖2一1所示:‘帶麒四蔽塾而刃若飛惻一_~一玉匕一一_一戶卜入一四M波輸出{/士生些翌扣磕孟轟麗核心處理器一—一J{葺儼溉靂一了一串口等)一,/下,又尸。閃丫入川,叭入一一一、/一一一一一吵畫耐圖2一1硬件整體結(jié)構(gòu)框圖 1)CPU核心模塊:主要由53C2440微處理器以及其外圍電路組成,是系統(tǒng)的核心控制模塊。CPU選用SAMSUNG公司的ARM920T處理器內(nèi)核開發(fā)的一款16/32位咫SC微處理器53C2440,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)、處理、通訊、顯現(xiàn)等功能。2)模擬電路:主要包括前端溫度采集電路和后端PWH波輸出控制電路。
南京信息工程大學(xué)碩士論文明。NandFlash具有較高的容量和較低的價(jià)格,可靠性較低,而NorFlash靠性高,而且擦除速度很慢,所以通常NorFlash用來保存關(guān)鍵代碼和數(shù)據(jù),據(jù)存儲(chǔ)都使用NandFlash,在本設(shè)計(jì)的應(yīng)用中NorFlash用于存儲(chǔ)BootLoadash用于存儲(chǔ)操作系統(tǒng)內(nèi)核以及文件系統(tǒng),類似于PC機(jī)上的硬盤。ash電路設(shè)計(jì)計(jì)選用的No:Flash采用IIY57v56162oBF,容量為ZMI,4]。No:Flash地址線每次讀寫的最小單位是兩個(gè)字節(jié)。該存儲(chǔ)芯片總共有Al~A22,22條地址線,由于芯片總?cè)萘恐挥衂M,所以,只需連接其中的20條地址線,另外。NorFLASH與53C2440處理器接口如圖3一5所示:
內(nèi)存電路設(shè)計(jì)Flash存儲(chǔ)器不同,不具有掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)的特性,但其存取速度具有讀寫的屬性,SDRAM在系統(tǒng)中的作用主要用于系統(tǒng)內(nèi)核當(dāng)系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí),CPU處理器首先從復(fù)位地址處讀取啟動(dòng)代碼,完棧、運(yùn)行數(shù)據(jù)及程序代碼都會(huì)調(diào)入SDRAM中運(yùn)行,這樣就可以RAM的存儲(chǔ)單元可以想象成一個(gè)電容,為避免數(shù)據(jù)丟失,必須定傾向于放電。因此,要在整個(gè)系統(tǒng)中使用sDRAM,就要求選用邏輯,若沒有可在系統(tǒng)中另外加入刷新控制邏輯電路。本設(shè)的芯片內(nèi)具有獨(dú)立的SDRAM刷新控制邏輯,可方便地與SDRA兩片外接的32Mbytes總共64M的SDRAM(型號(hào)為是HytmH),又稱內(nèi)存,它的工作電壓為3.3v,采用54腳TSOP封裝,并兼動(dòng)刷新(Auto一Refresh)和自刷新(Self-Refresh)兩種模式,單片的數(shù)內(nèi)存密度大和高帶寬的場合[l“]。本設(shè)計(jì)將兩片內(nèi)存并接在一起形,這樣可以大大增加訪問的速度。用的64M的SDRAM完全滿足嵌入式操作系統(tǒng)以及各種復(fù)雜的算
【相似文獻(xiàn)】
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7 季q
本文編號(hào):2757935
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