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0.13μm標(biāo)準(zhǔn)單元庫中寄存器的優(yōu)化方法

發(fā)布時間:2020-07-06 20:09
【摘要】: 寄存器在時序電路中占有非常重要的地位,寄存器性能和功耗的提高對整個電路的設(shè)計有極其重要的作用。為了設(shè)計出高性能低功耗的電路,優(yōu)化寄存器的性能和功耗是很有意義的。但是現(xiàn)有的寄存器庫存在很多缺陷,設(shè)計高性能、低功耗、節(jié)約面積的寄存器庫具有極大的應(yīng)用價值和實踐意義。 本課題在0.13μm CMOS工藝下針對不同的需要對標(biāo)準(zhǔn)單元庫中的寄存器進行速度、功耗和面積上的優(yōu)化設(shè)計,建立了一個高性能的寄存器標(biāo)準(zhǔn)單元庫。本文采用雙邊沿的技術(shù)針對典型的脈沖觸發(fā)器SDFF進行優(yōu)化,經(jīng)改進后的LSDFF速度提高了18%,功耗下降了30%,功耗延時積減小了36%;采用帶門控的技術(shù)針對典型的主從觸發(fā)器TGFF進行改進,經(jīng)改進后的GTGFF功耗降低35%,雖然速度有少許的下降,但是功耗延時積卻大大改進;采用條件放電技術(shù)對典型的脈沖觸發(fā)器HLFF進行優(yōu)化,經(jīng)改進后的CDFF功耗減少了35%,速度也有一定的提高;采用LSSD結(jié)構(gòu)的掃描器SMDFF的延時只有52.06ps,平均功耗也只有87.3μw,由于它結(jié)構(gòu)精練,而且晶體管的數(shù)目少,所以延時和功耗甚至比一般的不帶掃描功能的寄存器還要小。這些優(yōu)化方法的研究為設(shè)計出更高性能的寄存器奠定了基礎(chǔ)。
【學(xué)位授予單位】:國防科學(xué)技術(shù)大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2009
【分類號】:TP332
【圖文】:

模板,布線,版圖設(shè)計,布線層


half the metal width+the metal spacing+metal enclose via+half the viavia-to-via布線軌道間距:the metal spacing+2*metal enclose via+via widthline-to-line布線軌道間距:the metal width+the metal spacing在設(shè)計的庫中金屬布線層 M1、M3、M5 水平走線,M2、M4、M6 垂直走向。但需注意簡化同一方向上各布線 pitch 的比值以利于通孔的堆疊。在有關(guān)版圖設(shè)計的規(guī)范確定后,可以得到如下的標(biāo)準(zhǔn)單元版圖設(shè)計模板如圖 2.4。

標(biāo)準(zhǔn)單元


圖 2.5 標(biāo)準(zhǔn)單元布局單元構(gòu)成電路版圖時,每行單元的電源線、地線自然連接,如圖 2.6 所有平直的布線通道。圖 2.6 標(biāo)準(zhǔn)單元的連接元庫是用全定制方法精心設(shè)計好各種單元電路的版圖,然后把這些經(jīng)過

標(biāo)準(zhǔn)單元,版圖


圖 2.6 標(biāo)準(zhǔn)單元的連接元庫是用全定制方法精心設(shè)計好各種單元電路的版圖,然后把這些經(jīng)過的單元版圖存入數(shù)據(jù)庫。設(shè)計時將所需單元從單元庫中調(diào)出,將其留有布線通道。然后根據(jù)電路要求將各單元用連線聯(lián)接起來,同時把和壓焊塊聯(lián)接起來,得到所要求的芯片版圖。元設(shè)計的芯片主要分為 3 個區(qū)域:①四周的 I /O 單元和壓焊塊;②單11

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本文編號:2744074

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