小規(guī)模星載固態(tài)存儲器的研究與設計
【學位授予單位】:西安電子科技大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2018
【分類號】:TP333;V443
【圖文】:
西安電子科技大學碩士學位論文6 #RB2 狀態(tài)輸出 2 23 #WE3 寫使能 3 40 #RE1讀使能信號 17 #RB1 狀態(tài)輸出 1 24 #CE6 片選 6 41 #RE2讀使能信號 28 #RB0 狀態(tài)輸出 0 25 #CE7 片選 7 42 IO4數(shù)據(jù)線 49 #RE0 讀使能信號 0 26 IO11 數(shù)據(jù)線 11 43 IO5數(shù)據(jù)線 510 #CE0 片選 0 27 IO10 數(shù)據(jù)線 10 44 IO6數(shù)據(jù)線 611 #CE1 片選 1 28 IO9 數(shù)據(jù)線 9 45 IO7數(shù)據(jù)線 712 #CE2 片選 2 29 IO8 數(shù)據(jù)線 8 46 IO15數(shù)據(jù)線 1513 VCC 電源 30 IO0 數(shù)據(jù)線 0 47 IO14數(shù)據(jù)線 1414 VSS 地 31 IO1 數(shù)據(jù)線 1 48 IO13數(shù)據(jù)線 1315 #CE3 片選 3 32 IO2 數(shù)據(jù)線 2 49 IO12數(shù)據(jù)線 1216 #CE4 片選 4 33 IO3 數(shù)據(jù)線 3 50 #RE3讀使能信號 317 CLE 指令鎖存 34 #CE5 片選 5
圖 2.3 FLASH 內(nèi)部原理框圖[10]FLASH 內(nèi)部以頁為單元進行數(shù)據(jù)的讀寫,以塊地址為單位進行擦除,每一塊由頁構成,每一頁由列構成,陣列地址最小單元由列地址組成,單片 FLASH 存儲容量8192M+128Mbit,除了存儲陣列外,F(xiàn)LASH 內(nèi)部還包括指令寄存器、控制邏輯單元、I/O 緩存單元、I/O 驅(qū)動單元等,其中外部指令保存在指令寄存器中,外部輸入片選信號、讀寫信號、地址使能、命令使能與控制邏輯單元相連接,I/O 驅(qū)動單元則對FLASH8 位 I/O 端口上數(shù)據(jù)進行驅(qū)動。
FLASH指令集合[10]
【相似文獻】
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