DVS技術研究及其在全站儀設備中的應用
【學位授予單位】:蘇州大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2011
【分類號】:TP368.1
【圖文】:
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a 開關轉換功耗;b 內部功耗;c 靜態(tài)功耗次充放電轉換所消耗的能量可以通過公式 2.1 獲得:2/LddEnergy transition= C×V(2其中LC 是負載電容,ddV 是供電電壓。通過公式 2.1 可得到動態(tài)功耗為[2dynLddtransclockP =Energytransition×f=C×V×P×f2/ (2其中 f 是充放電轉換的頻率,transP 是輸出轉換的可能性,clockf 是系統(tǒng)的頻率。如果我們定義:effLtransC = C×P(2那么動態(tài)功耗可表示為:dyneffddclockP =C×V×f2(2而 CMOS 電路的內部功耗則主要由內部電流產生,如圖 2-l(b)所示,內耗只有在 NMOS 和 PMOS 兩個晶體管都打開時,由 FCC 和地之間聯(lián)通而,對負載電容進行充電時所需要電能也是內部功耗的組成部分。靜態(tài)功耗
【參考文獻】
相關期刊論文 前10條
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本文編號:2741651
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