嵌入式系統(tǒng)中閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的若干節(jié)能技術(shù)研究
【學(xué)位授予單位】:浙江大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2007
【分類號(hào)】:TP333
【圖文】:
位論文的自適應(yīng)、可裁減的系統(tǒng)架構(gòu)。性的研究基于嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù)訪問具有可預(yù)測(cè)性高168]析應(yīng)用程序的歷史數(shù)據(jù),來預(yù)測(cè)其將來的行為,作為系據(jù)訪問模式,對(duì)局部性較強(qiáng)的數(shù)據(jù)進(jìn)行優(yōu)化管理;根據(jù)行為,發(fā)揮電池的最大供電效率。可裁減性表現(xiàn)為根定制,以專用、輕巧、緊湊、面向應(yīng)用為設(shè)計(jì)目標(biāo)。能量?jī)?yōu)化的系統(tǒng)架構(gòu)下,分別研究了設(shè)備驅(qū)動(dòng)層、能源個(gè)主要層次。設(shè)備驅(qū)動(dòng)層位于最接近設(shè)備的軟件層次上理層提供最基本的設(shè)備控制支持。
本節(jié)主要闡述如何實(shí)現(xiàn)閃速存儲(chǔ)器技術(shù)與現(xiàn)有計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的集成。傳統(tǒng)方式是將閃速存儲(chǔ)器作為多層存儲(chǔ)體系 (MemoryHierarc坷)[7‘]中的一個(gè)層次,可以作為二級(jí)存儲(chǔ)(如圖2一1中箭頭A所示范圍),也可以作為磁盤設(shè)備的寫緩沖器(如圖2一1中箭頭B所示范圍);另一種方式將閃速存儲(chǔ)器與動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(內(nèi)存)集成到統(tǒng)一的地址空間下。圖2一1多層存儲(chǔ)器系統(tǒng)
【引證文獻(xiàn)】
相關(guān)期刊論文 前2條
1 柳振中;;基于NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)[J];現(xiàn)代電子技術(shù);2009年24期
2 柳振中;;閃存損耗均衡的內(nèi)存優(yōu)化實(shí)現(xiàn)[J];系統(tǒng)仿真學(xué)報(bào);2009年S1期
相關(guān)博士學(xué)位論文 前2條
1 李博;固態(tài)硬盤寫效率及能耗優(yōu)化研究[D];華中科技大學(xué);2010年
2 胡洋;高性能固態(tài)盤的多級(jí)并行性及算法研究[D];華中科技大學(xué);2012年
相關(guān)碩士學(xué)位論文 前5條
1 李斌;基于Nand Flash的UBI文件系統(tǒng)在Android平臺(tái)上的研究與應(yīng)用[D];西安電子科技大學(xué);2011年
2 邢春波;閃存磨損均衡算法研究[D];浙江工業(yè)大學(xué);2009年
3 賓玲;基于USB的飛控?cái)?shù)據(jù)記錄器的研究[D];西安工業(yè)大學(xué);2010年
4 都文超;星載高速大容量存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D];西安電子科技大學(xué);2012年
5 殷勝兵;移動(dòng)云計(jì)算中高能效的數(shù)據(jù)獲取技術(shù)研究[D];武漢理工大學(xué);2013年
本文編號(hào):2716411
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