【摘要】：閃存是一種可長時間保持?jǐn)?shù)據(jù)并且斷電數(shù)據(jù)不丟失存儲器,它的存儲單元采用一種類似EPROM的單管疊柵結(jié)構(gòu),通過電信號可完成擦除。閃存具有存取速度高、易擦除和編程、功耗小、集成度高等優(yōu)點。U盤、SM卡、SD卡、記憶棒等都是市場上重要的閃存產(chǎn)品。目前,在許多嵌入式產(chǎn)品中都集成了閃存模塊。多家公司開發(fā)了各類閃存芯片,各個公司閃存接口基本相似,但有一些細微差別。所以開發(fā)通用閃存控制器IP具有較大的應(yīng)用價值。 本文設(shè)計的通用閃存控制器IP由時鐘分頻模塊、BCH碼解碼模塊、配置寄存器模塊、主控制器模塊、串口NAND閃存控制器模塊、并口NAND閃存控制器模塊、NOR閃存控制器模塊組成。本通用閃存控制器支持串口NAND閃存、并口NAND閃存和AMD公司NOR閃存,以配置寄存器方式來實現(xiàn)對不同閃存的控制。具有8位和16位數(shù)據(jù)通道,支持市面上8位和16位數(shù)據(jù)通道并口閃存。具有ECC糾錯能力,本設(shè)計中用到的糾錯碼為BCH碼,能糾正8位數(shù)據(jù)通道中一位隨機錯誤和16位數(shù)據(jù)通道中的兩位隨機錯誤。本控制器工作時鐘頻率可調(diào),以滿足不同廠商串口NAND閃存工作頻率,降低內(nèi)部工作頻率使通用閃存控制器運行更可靠。 通用閃存控制器IP在CycloneII FPGA開發(fā)板上進行調(diào)試,對開發(fā)板上的三星閃存進行了讀、寫、擦除等操作,證實了本控制器功能的正確性。
【圖文】：

哈爾濱工業(yè)大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文ND閃存 閃存地址和數(shù)據(jù)總線是串行總線，所以它端口手機、數(shù)碼相機中用到的外置存儲器都是串口卡等。串口 NAND 閃存總線是串行的，，這就決 閃存要慢很多。華邦串口 NAND 閃存端口如出，華邦串口 NAND 閃存端口數(shù)只有 8 個，。圖 2-1 中，CS 為片選端口；DO 為數(shù)據(jù)輸出D 表示接地；DIO 為數(shù)據(jù)雙向端口；CLK 為護端口；VCC 表示接電源。

圖 2-2 SAMSUNG 并口 NAND 閃存端口圖由圖 2-2 可以看出，三星并口 NAND 閃存端口數(shù)比華邦串口 NAND 閃存端口數(shù)要多很多。圖 2-2 中，IO0-IO7 為雙向數(shù)據(jù)端口；CLE 為命令使能端-6-
【學(xué)位授予單位】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2009
【分類號】：TP333

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