【摘要】：本文以阻變存儲(chǔ)器的高密度解決方案為中心,針對(duì)阻變存儲(chǔ)器易于與邏輯工藝兼容的特點(diǎn)對(duì)高密度阻變存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)進(jìn)行了探索性的研究。本文首先對(duì)阻變存儲(chǔ)器關(guān)鍵外圍電路模塊進(jìn)行了設(shè)計(jì),包括用于讀取存儲(chǔ)電阻狀態(tài)的靈敏放大器以及改寫存儲(chǔ)電阻狀態(tài)的寫驅(qū)動(dòng)電路。緊接著本文提出兩種高密度三維多層堆疊的阻變存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)：NOR型共享選通管阻變存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)以及NAND型共享選通管阻變存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu),并且針對(duì)這兩種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)分別提出對(duì)這兩種結(jié)構(gòu)的讀寫操作方法,使其能夠可靠地工作。采用本文提出的這兩種高密度阻變存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)之后,相較與傳統(tǒng)的1T1R陣列結(jié)構(gòu),存儲(chǔ)密度能夠提高280%和500%。
【圖文】：

對(duì)于信息化的發(fā)展起到了至關(guān)重要的作用，并且在可以預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，這種對(duì)存儲(chǔ)的需求還將進(jìn)一步的不斷增加。所以，存儲(chǔ)器在整個(gè)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)當(dāng)中起到了至關(guān)重要的作用，可以說(shuō)是信息產(chǎn)業(yè)的糧食。圖1.1表明存儲(chǔ)器己經(jīng)遍及整個(gè)電子產(chǎn)品市場(chǎng)〔’〕。徹d沁Ca心(After們翻)心花州島Ca代壇(從erm袱)A目一拍心 nefFa戈C《pie「即d兩如定“)戶r烈峨圖1.1存儲(chǔ)器應(yīng)用市場(chǎng)份額存儲(chǔ)器所占據(jù)的芯片面積已經(jīng)從1999年的20%增至2007年的近80%;國(guó)際上IC制造，也有47%的產(chǎn)能是用于存儲(chǔ)器。在半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域，存儲(chǔ)器市場(chǎng)可以說(shuō)是一個(gè)競(jìng)爭(zhēng)非常充分的市場(chǎng)，發(fā)展也是相當(dāng)迅猛。10年以前，即1999年256MB的DRAM還是高端產(chǎn)品，25Onm邏輯工藝如果算不上非常尖端的技術(shù)也是前沿工藝技術(shù)。在消費(fèi)產(chǎn)品中，蘋果剛在iMaC系列電腦中刪除 1.44MB的軟驅(qū)，

圖1.4NOR型Flash和NAND型Flash的結(jié)構(gòu)對(duì)比為了進(jìn)一步提高存儲(chǔ)密度，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器可以做成MLC，即一個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)兩位數(shù)據(jù)，如圖1.5，SLCFlash存儲(chǔ)器每一個(gè)存儲(chǔ)單元可以存1位數(shù)據(jù)，分成兩個(gè)狀態(tài)，而MLCFlash存儲(chǔ)器每一個(gè)存儲(chǔ)單元可以存2位數(shù)據(jù)，，根據(jù)閩值電壓的不同分成了4中狀態(tài)。一般MLCFlash存儲(chǔ)器的芯片面積會(huì)比SLCFlash存儲(chǔ)器的芯片面積小30%~40%。MLCvsSLCNANDThefOUrVthleVe!5OfMLCNANDCe!1CanStoreZBitjCel!.1bitlCell(5ingleLevelCell)2bitleel百(MultlLevelCe月I)Vth史些?!.io·匕_.洲m軍。ttS
【學(xué)位授予單位】：復(fù)旦大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2010
【分類號(hào)】：TP333

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本文編號(hào)：2669807