發(fā)布時間：2020-05-08 09:24

【摘要】： 空間環(huán)境中存在著眾多的宇宙射線和高能粒子,運行于其中的星載計算機很容易受到這些射線和粒子的沖擊從而產(chǎn)生各種輻射效應。星載計算機上的雙穩(wěn)態(tài)器件如靜態(tài)存儲器SRAM就可能在輻射的作用下出現(xiàn)單粒子翻轉(zhuǎn)效應(Single Event Upset,SEU),導致存儲器中的數(shù)據(jù)的某一位從一個狀態(tài)變?yōu)榱硪粋�狀態(tài)。在存儲器中出現(xiàn)這樣的錯誤如果不能及時的發(fā)現(xiàn)并糾正,則可能導致星載計算機出現(xiàn)誤操作,甚至出現(xiàn)更嚴重的后果,所以很有必要對星載RAM進行抗SEU的設計。 此外,由于衛(wèi)星造價高昂,人們更希望在一顆衛(wèi)星上完成盡量多的任務,所以衛(wèi)星上會集成更多功能。這些不同的功能有不同的應用需求,對存儲器的容量與抗輻射性能也有不同的要求,于是也很有必要對星載RAM的靈活性加以改善。 本課題正是基于對以上問題的考慮,使用可調(diào)的存儲器配置方案,同時采用(22,16)擴展?jié)h明碼編碼與三模冗余(Triple Modular Redundancy,TMR)相結合的方式對星載RAM進行抗SEU的設計。本論文詳細闡述了(22,16)擴展?jié)h明碼與TMR的檢錯糾錯原理。使用VHDL語言分別實現(xiàn)了擴展?jié)h明碼檢錯糾錯電路與TMR檢錯糾錯電路。為了驗證設計的有效性,使用TMS320C6713 DSP搭建驗證電路平臺,采用軟件故障注入法對設計進行驗證。 經(jīng)過本設計加固的星載RAM可以對存儲器進行在線配置,可以采用兩種不同的存儲器檢錯糾錯方式。同時,與典型的EDAC芯片相比,本系統(tǒng)實現(xiàn)了差錯的實時回寫。
【學位授予單位】：電子科技大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2010
【分類號】：TP333.8

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