【摘要】：隨著航天技術的高速發(fā)展和新型武器裝備的制造水平的提高,裝備的性能不斷地提升,越來越多的集成電路被應用到這些系統(tǒng)中去,而在高端設備中起著核心控制作用的系統(tǒng)都需要高可靠性存儲器作為重要的部件。半導體非揮發(fā)性存儲器因為其具有掉電仍能保持信息的特性而成為重要的電子器件。隨著電路集成度的提高,電子器件的集成度和尺寸對空間輻射的敏感度也正在發(fā)生著變化。在新型武器的裝備上,存儲器芯片的抗輻射能力變得非常的重要。論文課題來源于單位研制的項目,本論文是在對此類產品進行深入研究的基礎上形成的,對于抗輻照MTM存儲器研究具有一定的參考意義。論文介紹了MTM反熔絲的存儲器國內外發(fā)展現(xiàn)狀,MTM反熔絲基本結構,存儲單元基本結構,電路工作原理;介紹了電路邏輯結構設計和工藝加工的技術手段。介紹了輻照機理的研究,對電路的抗輻照措施進行了說明。首先完成了MTM反熔絲結構設計和工藝加工,并通過試驗,檢驗了反熔絲單元編程前、編程后的特性,然后設計了存儲器單元,通過對可靠性和電路面積的權衡,確定了存儲單元的結構,并完成了存儲器讀、寫等模塊電路,結合電路仿真技術,設計了一款MTM反熔絲存儲器,并根據(jù)工藝加工參數(shù),自主設計了專用的編程器。通過編程試驗,總劑量試驗,單粒子試驗證明了電路的功能和參數(shù)指示符合設計的要求。此款MTM反熔絲電路與國外同類產品相比,也有不足之處,第一、電路在存儲器全地址編程的一次性成功率上還有待提高,國外此類產品的成功率一般在90%以上,此款電路全地址編程的一次性成功率在60%左右。第二、國外此類電路在設計上一般會加入冗余存儲器陣列,這個冗余存儲器陣列可以方便測試和工藝進行優(yōu)化,對尋找最佳編程條件也會帶來便利,由于受電路面積所限,此款電路沒有設計冗余存儲器陣列,在今后的科研工作中在這二個方面加以改進。
【圖文】：

UT28F256的反熔絲單元

UT28F256QLE的反熔絲單元
【學位授予單位】：西安電子科技大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2018
【分類號】：TP333

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