【摘要】：新興的三維靜態(tài)存儲器將代替二維靜態(tài)存儲器被廣泛用于高性能微處理器中,但它依然會受到軟錯誤的危害。為了能夠快速、自動分析多層管芯堆疊結構的三維靜態(tài)存儲器軟錯誤特性,搭建了三維靜態(tài)存儲器軟錯誤分析平臺。利用該平臺對以字線劃分設計的三維靜態(tài)存儲器和同等規(guī)模的二維靜態(tài)存儲器分別進行軟錯誤分析,并對分析結果進行對比。研究結果表明二維和三維靜態(tài)存儲器的翻轉截面幾乎相同,但三維靜態(tài)存儲器單個字中發(fā)生的軟錯誤要比二維靜態(tài)存儲器更嚴重,導致難以使用糾檢錯技術對其進行加固。靜態(tài)模式下二維和三維靜態(tài)存儲器敏感節(jié)點均分布于存儲陣列中,表明靜態(tài)模式下邏輯電路不會引發(fā)軟錯誤。
[Abstract]:The new 3D static memory will be widely used in high performance microprocessors instead of 2D static memory, but it will still be damaged by soft errors. In order to analyze the soft error characteristics of 3D static memory with multi-layer core stack structure quickly and automatically, a soft error analysis platform for 3D static memory is built. The platform is used to analyze the soft errors of the three-dimensional static memory designed by word line partition and the two-dimensional static memory of the same size, and the analysis results are compared. The results show that the flip cross section of 2D and 3D static memory is almost the same, but the soft error in a single word of 3D static memory is more serious than that of 2D static memory, which makes it difficult to reinforce it by error correction technique. The sensitive nodes of two and three dimensional static memory in static mode are distributed in the storage array, which indicates that the logic circuit in static mode does not cause soft errors.
【作者單位】： 國防科技大學計算機學院;國防科技大學并行與分布處理國家重點實驗室;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(61373032,61303069) 高等學校博士學科點專項科研基金資助項目(20124307110016)
【分類號】：TP333

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本文編號：2493941