極高密度磁存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與微磁學(xué)研究
發(fā)布時(shí)間:2018-11-23 07:32
【摘要】:作為信息存儲(chǔ)領(lǐng)域的主要載體,磁存儲(chǔ)和磁盤(pán)存貯器技術(shù)以其低成本、高可靠性以及密度的快速增長(zhǎng)一直推動(dòng)著整個(gè)信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。隨著磁記錄密度的不斷提升并逐漸向Tera-bit/in2(Tb/in2)級(jí)發(fā)展,如何采用新型磁記錄技術(shù)突破傳統(tǒng)垂直磁記錄密度極限,使磁記錄密度從本研究開(kāi)始時(shí)(2008年)的0.15~0.2Tb/in2在未來(lái)15~20年中提高60倍到10Tb/in2,是一項(xiàng)備受關(guān)注的戰(zhàn)略研究課題。本研究利用微磁學(xué)仿真方法,,提出并探索了采用瓦記錄與圖案化磁記錄技術(shù)結(jié)合,實(shí)現(xiàn)10Tb/in2磁存儲(chǔ)的可行方案,并從瓦記錄磁頭結(jié)構(gòu)、斜交角變化范圍、系統(tǒng)高頻響應(yīng)特性、圖案化磁記錄位元排布方式等多方面,對(duì)基于瓦記錄的10Tb/in2圖案化磁存儲(chǔ)系統(tǒng)進(jìn)行了詳細(xì)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化,為磁存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)相關(guān)核心技術(shù)的發(fā)展提供了一種可行的實(shí)現(xiàn)方案。 本研究構(gòu)建了適用于10Tb/in2記錄密度的瓦記錄寫(xiě)磁頭模型,利用微磁學(xué)仿真方法系統(tǒng)地研究了寫(xiě)磁頭各項(xiàng)參數(shù)對(duì)寫(xiě)磁場(chǎng)大小和磁場(chǎng)梯度的影響,并從磁學(xué)原理上分析了這些影響產(chǎn)生的原因。根據(jù)計(jì)算結(jié)果,本研究首次提出:相比于最大寫(xiě)磁場(chǎng),瓦記錄寫(xiě)角處的磁場(chǎng)和磁場(chǎng)梯度對(duì)于實(shí)現(xiàn)10Tb/in2磁記錄更重要,而且最大寫(xiě)磁場(chǎng)和寫(xiě)角磁場(chǎng)的增幅會(huì)隨著磁極寬度的增加而迅速降低;寫(xiě)磁頭的其他結(jié)構(gòu),比如磁頭-屏蔽間隔等,必須設(shè)置在合理范圍才能保證寫(xiě)角處的磁場(chǎng)和磁場(chǎng)梯度均滿(mǎn)足10Tb/in2磁記錄要求。 本研究推導(dǎo)了基于瓦記錄的10Tb/in2圖案化磁存儲(chǔ)系統(tǒng)的記錄性能的計(jì)算方法,并利用該方法對(duì)比了寫(xiě)角大小不同的寫(xiě)磁頭對(duì)10Tb/in2瓦記錄系統(tǒng)的記錄性能的影響,從系統(tǒng)寫(xiě)入誤碼率的角度首次得到了最優(yōu)寫(xiě)角設(shè)計(jì)。本文還研究了磁頭制備過(guò)程中必然出現(xiàn)的,寫(xiě)角處尖角變圓的“圓角效應(yīng)”,通過(guò)構(gòu)建圓角寫(xiě)磁極仿真模型,計(jì)算了不同“圓角”程度對(duì)系統(tǒng)記錄性能的影響,發(fā)現(xiàn)磁頭寫(xiě)角具有小的“圓角”有利于系統(tǒng)寫(xiě)入誤碼率的降低。 本研究計(jì)算了寫(xiě)磁頭斜交角變化范圍不同時(shí),系統(tǒng)的最大擦除誤碼率,發(fā)現(xiàn)縮小*本文受?chē)?guó)家自然科學(xué)基金No.60773189,61272068資助。斜交角變化范圍有利于瓦記錄系統(tǒng)寫(xiě)性能提高。本研究還創(chuàng)造性地提出了利用雙寫(xiě)角寫(xiě)入的瓦記錄技術(shù)可以把每個(gè)寫(xiě)角對(duì)應(yīng)的斜交角變化范圍減小到10度以?xún)?nèi),從而大大提高了瓦記錄技術(shù)的記錄性能。 本文詳細(xì)計(jì)算了圖案化磁記錄位元在實(shí)際外場(chǎng)中的翻轉(zhuǎn)條件,并仿真了適用于10Tb/in2磁記錄的瓦記錄磁頭的高頻響應(yīng)特性,發(fā)現(xiàn)可以通過(guò)提高記錄介質(zhì)的耗散系數(shù),在外場(chǎng)大小不變的情況下縮短翻轉(zhuǎn)位元所需的外場(chǎng)加載時(shí)間,有助于提高系統(tǒng)高頻響應(yīng)特性,并對(duì)滿(mǎn)足10Tb/in2磁記錄高頻響應(yīng)要求的瓦記錄磁頭提出了設(shè)計(jì)方案。 本研究利用微磁學(xué)計(jì)算對(duì)比了不同位元排布方式和不同制造公差對(duì)位元的翻轉(zhuǎn)場(chǎng)分布的影響。結(jié)果表明,當(dāng)保持所有排布方式的面密度相等時(shí),等腰三角形位元排布是最優(yōu)排布,因?yàn)槠淠繕?biāo)位元受到周?chē)辉撵o磁場(chǎng)作用與等邊三角形排布幾乎一樣小,同時(shí)其對(duì)道密度的要求比等邊三角形排布更低。
[Abstract]:......
【學(xué)位授予單位】:華中科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2013
【分類(lèi)號(hào)】:TP333
本文編號(hào):2350783
[Abstract]:......
【學(xué)位授予單位】:華中科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2013
【分類(lèi)號(hào)】:TP333
【共引文獻(xiàn)】
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1 張開(kāi)明;介質(zhì)微結(jié)構(gòu)與未來(lái)磁記錄方式中記錄過(guò)程的微磁學(xué)研究[D];清華大學(xué);2013年
相關(guān)碩士學(xué)位論文 前1條
1 劉文武;SmCo_5垂直磁記錄薄膜底層材料與圖案化介質(zhì)模板研究[D];華中科技大學(xué);2013年
本文編號(hào):2350783
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