【摘要】：一次性可編程O(píng)TP存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)燒錄需要專(zhuān)門(mén)的燒錄器,而獲取讀取與燒寫(xiě)的數(shù)據(jù)則需要專(zhuān)門(mén)上位機(jī)軟件來(lái)進(jìn)行相應(yīng)的操作。針對(duì)國(guó)內(nèi)某反熔絲OTP存儲(chǔ)器件,本文主要介紹了如何使用C#語(yǔ)言設(shè)計(jì)一個(gè)通過(guò)串口通信實(shí)現(xiàn)在PC上進(jìn)行OPT存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)的測(cè)試軟件。由于必需對(duì)OTP存儲(chǔ)器的功能進(jìn)行測(cè)試才能得到OPT存儲(chǔ)器中被燒錄的正確數(shù)據(jù),因此怎樣使用上位機(jī)軟件讀取到通過(guò)串口與PC相連的高性能的OTP存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)成為一個(gè)我們非常關(guān)心的課題。C#語(yǔ)法簡(jiǎn)單,代碼重用性高,易于維護(hù),設(shè)計(jì)出的軟件便于測(cè)試人員進(jìn)行操作。在PC與基于STM32的下位機(jī)硬件平臺(tái)連接進(jìn)行實(shí)際測(cè)試的實(shí)驗(yàn)中表明,利用C#編寫(xiě)出的上位機(jī)軟件能快速、準(zhǔn)確地對(duì)OPT存儲(chǔ)器進(jìn)行讀取和寫(xiě)入。
[Abstract]:A special recorder is needed for the data burning of a single programmable OTP memory device, and the acquisition of read and write data requires a special upper computer software to perform the corresponding operation. Aiming at an anti-fuse OTP memory device in China, this paper mainly introduces how to use C # language to design a test software which can read and write OPT memory data on PC through serial communication. Since the function of the OTP memory must be tested to get the correct data burned in the OPT memory, Therefore, how to use PC software to read the data in the high-performance OTP memory connected to PC through serial port has become a very concerned topic. The syntax of .C# is simple, the code reusability is high, and it is easy to maintain. The designed software is easy for testers to operate. In the experiment of connecting PC with the hardware platform of lower computer based on STM32, it is shown that the PC software written by C # can read and write OPT memory quickly and accurately.
【作者單位】： 電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院;成都信息工程大學(xué)光電技術(shù)學(xué)院;
【分類(lèi)號(hào)】：TP333;TP311.52

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 BRIAN DIPERT;;清除不合格的存儲(chǔ)器[J];電子設(shè)計(jì)技術(shù);2002年03期

2 張健;CellularRAM存儲(chǔ)器:2.5G/3G終端的理想方案[J];電子設(shè)計(jì)應(yīng)用;2003年10期

3 ;韓國(guó)開(kāi)發(fā)出新一代超高速存儲(chǔ)器芯片[J];世界科技研究與發(fā)展;2004年02期

4 ;韓國(guó)開(kāi)發(fā)出新一代超高速存儲(chǔ)器芯片[J];稀有金屬;2004年03期

5 ;我國(guó)首款自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)相變存儲(chǔ)器芯片研制成功[J];發(fā)明與創(chuàng)新(綜合科技);2011年06期

6 竇振中;未來(lái)存儲(chǔ)器技術(shù)[J];電子產(chǎn)品世界;2000年02期

7 鄒益民;存儲(chǔ)器的兼容性設(shè)計(jì)[J];電子工藝技術(shù);2001年03期

8 鄒益民;存儲(chǔ)器的兼容性設(shè)計(jì)[J];國(guó)外電子元器件;2001年04期

9 潘立陽(yáng);朱鈞;段志剛;伍冬;;快閃存儲(chǔ)器技術(shù)研究與進(jìn)展[J];中國(guó)集成電路;2002年11期

10 仇德成,王東海;存儲(chǔ)器擴(kuò)展中片選的連接[J];河西學(xué)院學(xué)報(bào);2003年02期

相關(guān)會(huì)議論文 前4條

1 衛(wèi)寧;王劍峰;杜婕;周聰莉;郭旗;文林;;抗輻射加固封裝國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器電子輻照試驗(yàn)研究[A];第十屆全國(guó)抗輻射電子學(xué)與電磁脈沖學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2009年

2 胡勇;吳丹;沈森祖;石堅(jiān);;基于V93000測(cè)試系統(tǒng)的存儲(chǔ)器測(cè)試方法研究和實(shí)現(xiàn)[A];第五屆中國(guó)測(cè)試學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2008年

3 吾勤之;許導(dǎo)進(jìn);王晨;劉剛;蔡小五;韓鄭生;;SRAM存儲(chǔ)器單粒子效應(yīng)試驗(yàn)研究[A];第十屆全國(guó)抗輻射電子學(xué)與電磁脈沖學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2009年

4 唐民;;超深亞微米SRAM和Flash存儲(chǔ)器的輻射效應(yīng)[A];第十屆全國(guó)抗輻射電子學(xué)與電磁脈沖學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2009年

相關(guān)重要報(bào)紙文章 前9條

1 姜洋;恒憶進(jìn)軍存儲(chǔ)器市場(chǎng)[N];中國(guó)計(jì)算機(jī)報(bào);2008年

2 本報(bào)記者 郭濤;閃存之后,相變存儲(chǔ)器再受關(guān)注[N];中國(guó)計(jì)算機(jī)報(bào);2011年

3 南京 沈永明;彩電存儲(chǔ)器讀寫(xiě)器的制作和使用[N];電子報(bào);2005年

4 莫大康;應(yīng)用推動(dòng) 存儲(chǔ)器重回上升軌道[N];中國(guó)電子報(bào);2007年

5 記者王俊鳴;64位存儲(chǔ)器在美問(wèn)世[N];科技日?qǐng)?bào);2002年

6 蔡綺芝 DigiTimes;IBM Racetrack Memory將取代閃存[N];電子資訊時(shí)報(bào);2007年

7 IDG電訊;“牛”氣沖天[N];計(jì)算機(jī)世界;2000年

8 記者 張錦芳;韓國(guó)高速芯片每秒可傳1萬(wàn)本厚書(shū)[N];新華每日電訊;2004年

9 趙軍紅　編譯;存儲(chǔ)器或?qū)⒂瓉?lái)一場(chǎng)新革命[N];科技日?qǐng)?bào);2010年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前5條

1 袁方;新型高密度非揮發(fā)存儲(chǔ)器研究[D];清華大學(xué);2014年

2 吳丹;高效能計(jì)算型存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)關(guān)鍵技術(shù)研究與實(shí)現(xiàn)[D];華中科技大學(xué);2012年

3 范雪;一種新型反熔絲存儲(chǔ)器的研制及其抗輻射加固方法研究[D];電子科技大學(xué);2011年

4 劉璐;高k柵堆棧電荷陷阱型MONOS存儲(chǔ)器的研究[D];華中科技大學(xué);2013年

5 周嬌;相變存儲(chǔ)器按比例縮小研究[D];華中科技大學(xué);2014年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 段志剛;嵌入式低壓低功耗新型快閃存儲(chǔ)器電路研究[D];清華大學(xué);2004年

2 李家強(qiáng);基于正交拉丁碼的存儲(chǔ)器抗多位翻轉(zhuǎn)設(shè)計(jì)[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2014年

3 沈菊;相變存儲(chǔ)器芯片電路設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D];中國(guó)科學(xué)院研究生院（上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所）;2008年

4 張佶;高密度阻變存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)[D];復(fù)旦大學(xué);2010年

5 張顯敞;存儲(chǔ)器測(cè)試算法研究及應(yīng)用實(shí)現(xiàn)[D];電子科技大學(xué);2013年

6 趙志剛;基于相變存儲(chǔ)器電流約束下片內(nèi)并行寫(xiě)入操作研究[D];山東大學(xué);2015年

7 馬文龍;阻變存儲(chǔ)器外圍電路設(shè)計(jì)[D];湖南大學(xué);2014年

8 宋子凱;大規(guī)模存儲(chǔ)器的高速并行測(cè)試解決方案[D];上海交通大學(xué);2007年

9 丁川;納米晶存儲(chǔ)器中的高壓產(chǎn)生系統(tǒng)設(shè)計(jì)[D];華中科技大學(xué);2010年

10 黃冬其;相變存儲(chǔ)器單元高速擦寫(xiě)測(cè)試方法研究[D];華中科技大學(xué);2012年

，

本文編號(hào)：2243252