【摘要】：制備了一種具有多級存儲效應的密集ZnO納米棒陣列阻變存儲器件,借助I-V曲線和熒光光譜分析了器件的電流傳導機制和阻變機制,發(fā)現(xiàn)器件在不同的電阻態(tài)下分別屬于歐姆傳導和空間電荷限制電流(SCLC)傳導機制。正向電場作用使納米棒表面耗盡區(qū)的氧空位V++密度增大,完善了電子傳輸?shù)膶щ娂毥z通道,器件實現(xiàn)了由高阻態(tài)向低阻態(tài)的轉變;在反向電壓作用下,導電通道斷裂,器件恢復到高阻態(tài)。
[Abstract]:A dense ZnO nanorod array resistive memory device with multistage storage effect was prepared. The current conduction mechanism and resistance mechanism of the device were analyzed by I-V curve and fluorescence spectrum. It is found that the device belongs to the ohmic conduction mechanism and the space-charge-limited current (SCLC) conduction mechanism under different resistance states. The positive electric field increases the oxygen vacancy V density in the depletion region of the nanorods surface, and improves the electron-transfer conductive filament channel. The device realizes the transition from the high resistance state to the low resistance state, and the conduction channel breaks under the action of reverse voltage. The device recovers to a high resistance state.
【作者單位】： 天津理工大學材料物理研究所光電器件與顯示材料教育部重點實驗室天津市光電顯示材料與器件重點實驗室;天津職業(yè)技術師范大學理學院;
【基金】：863國家高技術研究發(fā)展計劃(2013AA014201) 天津市自然科學基金(14JCZDJC31200,15JCYBJC16800,15JCYBJC16700) 國家重大儀器設備開發(fā)專項(2014YQ120351) 天津市科技計劃國際合作項目(14RCGHGX00872)資助
【分類號】：TP333

【參考文獻】

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【共引文獻】

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【二級參考文獻】

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本文編號：2226480