【摘要】：從調(diào)控氧化物憶阻器電導(dǎo)特性的主要方法與機理出發(fā),綜述了納米點在氧化物憶阻器電導(dǎo)行為調(diào)制及其參數(shù)穩(wěn)定性改善等方面的研究進展。針對納米點調(diào)控氧空位的擴散遷移、電場遷移及其共同作用,分析了納米點對氧化物憶阻器的電形成過程、開態(tài)過程和關(guān)態(tài)過程的作用機制,并討論了其對參數(shù)均一性、耐久能力、疲勞特性、電阻比率及開關(guān)時間等參數(shù)的影響。結(jié)果表明,納米點的引入可以顯著改善憶阻器性能參數(shù)的穩(wěn)定性和可控性,并進一步指出納米點在優(yōu)化其電導(dǎo)特性方面存在的不足和可能的解決措施,預(yù)測了性能優(yōu)化的氧化物憶阻器在非易失存儲、人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域的應(yīng)用前景。
[Abstract]:Based on the main methods and mechanisms of regulating the conductance characteristics of oxide memristors, this paper reviews the research progress of nanowires in the modulation of conductance behavior and the improvement of parameter stability of oxide memristors. In order to control the diffusion and migration of oxygen vacancies, electric field migration and their interaction, the mechanism of nanowires on the electrical formation, open state and off state processes of oxide memristors is analyzed, and the uniformity of parameters is discussed. Durability, fatigue characteristics, resistance ratio and switching time and other parameters. The results show that the introduction of nanometers can improve the stability and controllability of the performance parameters of the resistive devices, and further point out the shortcomings and possible solutions to optimize the conductance characteristics of the nanowires. The application prospects of the optimized oxide resistor in non-volatile memory and artificial neural network are predicted.
【作者單位】： 北京航空航天大學(xué)物理系;中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國家重點實驗室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(51172009,51172013,51132008) 信息功能材料國家重點實驗室開放課題資助項目
【分類號】：TP333

【參考文獻】

相關(guān)期刊論文 前1條

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【共引文獻】

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本文編號：2148074