本文選題：非易失存儲(chǔ) + PCRAM��； 參考：《計(jì)算機(jī)研究與發(fā)展》2014年02期

【摘要】：近年來,由于處理器性能和存儲(chǔ)性能之間的差距不斷擴(kuò)大,存儲(chǔ)系統(tǒng)成為計(jì)算機(jī)整體系統(tǒng)性能提升的瓶頸.隨著微電子技術(shù)的迅速發(fā)展,新型非易失存儲(chǔ)器件由于具有非易失、低能耗、良好的可擴(kuò)展性和抗震等優(yōu)良特性,得到了學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的廣泛關(guān)注.介紹了4種新型非易失存儲(chǔ)器件,分別是STT-RAM,RRAM,PCRAM和FeRAM,對比了其與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器件的性能參數(shù).討論了目前在存儲(chǔ)架構(gòu)中的不同層面(即緩存層、主存層和外存層)針對這些非易失存儲(chǔ)器件的利用所開展的一些探索性工作,并分析了其中針對非易失存儲(chǔ)器件的寫次數(shù)有限、讀寫性能不均衡等不足所作出的一些策略設(shè)計(jì).最后,對新型非易失存儲(chǔ)器件的研究現(xiàn)狀進(jìn)行了總結(jié),并提出了未來可能的發(fā)展方向.
[Abstract]:In recent years, due to the widening gap between processor performance and storage performance, memory system has become the bottleneck of the overall computer system performance improvement. With the rapid development of microelectronic technology, new non-volatile memory devices have attracted extensive attention from academia and industry because of their excellent characteristics such as non-volatile, low energy consumption, good scalability and seismic resistance. Four new non-volatile memory devices, STT-RAM RRAM PCRAM and FeRAM, are introduced, and their performance parameters are compared with those of traditional memory devices. In this paper, some exploratory work on the use of these non-volatile memory devices at different levels in memory architecture (i.e. buffer layer, main memory layer and external memory layer) is discussed. Some strategies are designed to solve the problems such as the limited write times of non-volatile memory devices and the uneven performance of reading and writing. Finally, the research status of new nonvolatile memory devices is summarized, and the possible development direction in the future is proposed.
【作者單位】： 清華大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)系;清華大學(xué)信息科學(xué)與技術(shù)國家實(shí)驗(yàn)室(籌);
【基金】：國家杰出青年科學(xué)基金項(xiàng)目(60925006) 國家“八六三”高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃基金項(xiàng)目(2013AA013201)
【分類號】：TP333

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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本文編號：2088451