本文選題：NAND + 錯(cuò)誤糾正碼��； 參考：《計(jì)算機(jī)應(yīng)用》2014年08期

【摘要】：針對(duì)嵌入式系統(tǒng)中NAND設(shè)備存儲(chǔ)密度較低的問(wèn)題,提出一種高存儲(chǔ)密度的新型設(shè)備管理方案。通過(guò)研究大量NAND存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)和BCH校驗(yàn)編碼設(shè)計(jì),在頁(yè)面中找到一種通用的信息存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)模式。使得冗余區(qū)(OOD)編碼滿(mǎn)足錯(cuò)誤糾正碼(ECC)糾錯(cuò)能力的同時(shí)可容納設(shè)備分區(qū)管理信息,從而將主頁(yè)面全部用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ),并以此為基礎(chǔ)進(jìn)行了設(shè)備讀寫(xiě)、損益均衡機(jī)制的設(shè)計(jì)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,所提方案中NAND設(shè)備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度可達(dá)98%,優(yōu)于當(dāng)前多數(shù)主流文件系統(tǒng)。該方案具備很高的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度,設(shè)備讀寫(xiě)效率和擦寫(xiě)壽命相對(duì)穩(wěn)定,在嵌入式系統(tǒng)平臺(tái)中具備很好的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。
[Abstract]:Aiming at the problem of low storage density of NAND devices in embedded systems, a new device management scheme with high storage density is proposed. By studying a large number of NAND storage structures and BCH verification coding design, a general information storage structure pattern is found in the page. The redundant OODO code can satisfy the error-correcting capability of error correction code (Ecc) and can accommodate the equipment partition management information, so that the main page can be used for data storage. Based on this, the device reading and writing mechanism and the profit and loss equalization mechanism are designed. The experimental results show that the data storage density of NAND devices in the proposed scheme is up to 98, which is superior to most of the current mainstream file systems. This scheme has high data storage density, stable device reading and writing efficiency and writing lifetime, and has a good application advantage in embedded system platform.
【作者單位】： 合肥師范學(xué)院計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)系;安徽大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;計(jì)算智能與信號(hào)處理教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(安徽大學(xué));
【基金】：安徽省高校省級(jí)自然科學(xué)研究重點(diǎn)項(xiàng)目(KJ2013A217) 安徽省優(yōu)秀青年人才基金資助項(xiàng)目(2011SQRL020ZD)
【分類(lèi)號(hào)】：TP333

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本文編號(hào)：1973291