本文選題：磁阻隨機(jī)存儲(chǔ)器 + 特性數(shù)據(jù)采集　； 參考：《計(jì)算機(jī)研究與發(fā)展》2015年S2期

【摘要】：由于傳統(tǒng)的磁盤甚至已廣泛應(yīng)用的Flash固態(tài)盤已無(wú)法很好地滿足當(dāng)前對(duì)存儲(chǔ)器在集成度、讀寫速度、可靠性方面的需求,故須積極尋找新一代存儲(chǔ)介質(zhì)嘗試與當(dāng)前存儲(chǔ)器混合使用甚至替代之.而磁阻隨機(jī)存儲(chǔ)器(magnetic random access memory,MRAM)作為一種非易失性存儲(chǔ)器,擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(satic random access memory,SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(dynamic random access memory,DRAM)的高集成度,同時(shí)比DRAM更低的能耗,并具有無(wú)限的讀寫次數(shù),這些優(yōu)秀的特性使得MRAM擁有很好的潛力成為下一代主流存儲(chǔ)介質(zhì).為了對(duì)MRAM的讀寫性能、功耗等有深入的理解,設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一個(gè)MRAM測(cè)試平臺(tái),完成對(duì)MRAM讀寫性能測(cè)試和特性數(shù)據(jù)采集.該測(cè)試平臺(tái)主要由MRAM控制器設(shè)計(jì)、MRAM特性數(shù)據(jù)采集、讀寫性能測(cè)試3個(gè)方面組成,由MRAM控制器對(duì)MRAM芯片進(jìn)行讀寫完成讀寫性能測(cè)試,采集MRAM在讀、寫、空閑等狀態(tài)下的特性數(shù)據(jù).實(shí)驗(yàn)表明,MRAM具有良好的讀寫性能和低功耗,有條件成為下一代主流存儲(chǔ)介質(zhì).
[Abstract]:Because the traditional disk and even the widely used Flash solid disk is unable to meet the needs of memory in integration, reading and writing speed and reliability, it is necessary to actively seek a new generation of storage media to try to mix and even replace the current memory. And magnetic random access memory (M), M RAM), as a nonvolatile memory, has the ability to read and write at high speed of Satic random access memory (SRAM), and the high integration of dynamic random access memory (dynamic random access memory, DRAM), with lower energy consumption than DRAM, and unlimited reading and writing times. There is a good potential to become the main storage medium of the next generation. In order to understand the reading and writing performance of MRAM, power consumption and so on, a MRAM test platform is designed and implemented to complete the MRAM reading and writing performance test and characteristic data acquisition. The test platform is mainly designed by the MRAM controller, the MRAM characteristic data acquisition, and the reading and writing performance testing 3 aspects. It is composed of the MRAM controller to read and write performance test on MRAM chip and collect the characteristic data of MRAM in reading, writing and idle state. The experiment shows that MRAM has good reading and writing performance and low power consumption, and it has the condition to become the next generation of main storage medium.
【作者單位】： 華中科技大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;武漢光電國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(華中科技大學(xué));信息存儲(chǔ)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(華中科技大學(xué));
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(61300047) 湖北省自然科學(xué)基金項(xiàng)目(2015CFB315)
【分類號(hào)】：TP333

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本文編號(hào)：1928150