鐵電晶體管存儲器的讀出電路設(shè)計
本文選題:鐵電晶體管 切入點:仿真模型 出處:《壓電與聲光》2014年02期
【摘要】:通過對鐵電晶體管電學特性分析,提出了鐵電晶體管的仿真模型,并設(shè)計了一種新型單管(1T)結(jié)構(gòu)的讀出電路。通過此模型進行了仿真驗證,并與傳統(tǒng)雙管(2T)結(jié)構(gòu)的電流放大讀出電路的仿真結(jié)果進行對比,結(jié)果表明,新型1T結(jié)構(gòu)讀出電路在讀出速度,可靠性及電路結(jié)構(gòu)大小等方面均有提高。
[Abstract]:By analyzing the electrical characteristics of ferroelectric transistors, a simulation model of ferroelectric transistors is proposed, and a novel readout circuit with a single transistor 1T structure is designed.The simulation results of this model are compared with those of the traditional current amplifying readout circuit with two-transistor 2T structure. The results show that the new type of readout circuit with 1T structure is at the readout speed.Reliability and circuit structure are improved.
【作者單位】: 電子科技大學電子薄膜與集成器件國家重點實驗室;
【基金】:國家自然科學基金資助項目(61204084)
【分類號】:TP333
【參考文獻】
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【共引文獻】
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【二級參考文獻】
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,本文編號:1716057
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