本文選題：雙端口SRAM　切入點：定時刷新　出處：《微電子學》2015年04期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：在空間輻射環(huán)境下,存儲單元對單粒子翻轉的敏感性日益增強。通過比較SRAM的單粒子翻轉效應相關加固技術,在傳統(tǒng)EDAC技術的基礎上,增加少量硬件模塊,有效利用雙端口SRAM的端口資源,提出了一種新的周期可控定時刷新機制,實現了對存儲單元數據的周期性糾錯檢錯。對加固SRAM單元進行分析和仿真,結果表明,在保證存儲單元數據被正常存取的前提下,定時刷新機制的引入很大程度地降低了單粒子翻轉引起的錯誤累積效應,有效降低了SRAM出現軟錯誤的概率。
[Abstract]:In the environment of space radiation, the memory cell is more sensitive to single particle flip. By comparing the single particle flip effect correlation reinforcement technology of SRAM, a small number of hardware modules are added on the basis of traditional EDAC technology. Using the port resource of dual-port SRAM effectively, a new periodic controllable timing refresh mechanism is proposed, and the periodic error correction of memory unit data is realized. The analysis and simulation of the strengthened SRAM unit show that, On the premise that the memory cell data is accessed normally, the introduction of timing refresh mechanism greatly reduces the error accumulation effect caused by single particle flipping, and effectively reduces the probability of soft errors in SRAM.
【作者單位】： 中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所;中國科學院大學;
【分類號】：TP333

【參考文獻】

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1 QIN JunRui;LI DaWei;CHEN ShuMing;;A novel layout for single event upset mitigation in advanced CMOS SRAM cells[J];Science China(Technological Sciences);2013年01期

2 黃江洪;向陽霞;章立生;謝應科;韓承德;;抗內存位翻轉的軟硬件協(xié)同檢錯糾錯方法[J];武漢大學學報(理學版);2009年01期

【共引文獻】

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2 HU ChunMei;CHEN ShuMing;CHEN JianJun;QIN JunRui;;The off-state gate isolation technique to improve ASET tolerance in differential analog design[J];Science China(Technological Sciences);2013年10期

3 WANG TianQi;XIAO LiYi;ZHOU Bin;QI ChunHua;;Analysis of process variations impact on the single-event transient quenching in 65 nm CMOS combinational circuits[J];Science China(Technological Sciences);2014年02期

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3 楊靜;抗多節(jié)點翻轉的存儲器設計[D];哈爾濱工業(yè)大學;2014年

【二級參考文獻】

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1 ;Research on single event transient pulse quenching effect in 90 nm CMOS technology[J];Science China(Technological Sciences);2011年11期

2 ;Single event transient pulse attenuation effect in three-transistor inverter chain[J];Science China(Technological Sciences);2012年04期

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1 李景生;;利用雙端口RAM技術實現數據的高速傳輸[J];電子技術應用;1988年12期

2 張衛(wèi)杰,王遠,魏震生;雙端口RAM的并口設計應用[J];國外電子元器件;2001年10期

3 徐勇,陸榮;雙端口存貯器的實現[J];軍事通信技術;1995年04期

4 郭炳輝;雙端口RAM及其應用[J];半導體技術;1996年05期

5 趙建榮,李智勇,牛夏牧;雙端口RAM存取操作的處理方法[J];電子技術應用;1996年06期

6 張延平;;雙端口RAM在多機通信系統(tǒng)中的應用[J];集成電路應用;1995年01期

7 張奇志;雙端口RAM在單片機系統(tǒng)中的應用[J];現代電子技術;2000年07期

8 劉偉,周玉梅,葉青;單向雙端口SRAM的測試算法[J];固體電子學研究與進展;2005年01期

9 羅杰;一種基于雙端口RAM的高速數據采集系統(tǒng)設計[J];微電子學與計算機;2001年06期

10 顏學龍;湯敏;;嵌入式雙端口SRAM可編程內建自測試結構的設計[J];計算機測量與控制;2006年07期

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3 鐘榮;孫玉東;王鎖泉;周慶云;朱忠;尹志勇;;管路聲源雙端口模型及源參數提取的測試分析方法[A];第十二屆船舶水下噪聲學術討論會論文集[C];2009年

4 張浩;馮濤;李曉東;劉克;;多負載法確定管道中雙端口聲源特性[A];中國聲學學會2009年青年學術會議[CYCA’09]論文集[C];2009年

5 張志軍;Faton Tefiku;馮正和;;小型化雙端口四頻帶天線[A];2007年全國微波毫米波會議論文集（上冊）[C];2007年

6 葉利劍;馮濤;劉克;;管道系統(tǒng)聲源雙端口模型測量方法理論[A];中國聲學學會2007年青年學術會議論文集（下）[C];2007年

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2 ;三分鐘成為英特爾網卡專家[N];中國電腦教育報;2009年

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4 曾飛;雙端口測試器的可執(zhí)行測試例生成系統(tǒng)研究與開發(fā)[D];西南交通大學;2006年

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