本文關鍵詞：預熱處理溫度對低溫制備Mn摻雜ZnO薄膜結構和阻變性能的影響　出處：《兵器材料科學與工程》2015年02期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：以水合乙酸鋅、水合乙酸錳為前驅體,利用溶膠-凝膠旋涂法在p+-Si襯底上制備Mn摻雜的ZnO阻變薄膜(MZO)。研究工藝中預熱處理溫度對薄膜的微觀結構、阻變特性的影響,分析了薄膜高阻態(tài)和低阻態(tài)的導電機理。結果表明:經250、300℃預熱處理的MZO薄膜孔洞較多,而經350℃預熱處理的MZO薄膜致密,無孔洞且呈c軸擇優(yōu)取向生長;經不同溫度預熱處理所制備的Ag/MZO/p+-Si器件均呈雙極性的阻變特性,但經350℃預熱處理的器件樣品具有更顯著的阻變行為和更高的高、低電阻比RHRS/RLRS(104~106);器件在高阻態(tài)的低壓區(qū)為歐姆導電,高阻態(tài)高壓區(qū)為肖特基發(fā)射電流傳導,在低阻態(tài)為空間電荷限制電流(SCLC)傳導。
[Abstract]:Hydrated zinc acetate, manganese acetate hydrate as a precursor for preparation of Mn doped ZnO resistance film on p+-Si substrate by sol-gel spin coating method (MZO). Research on preheating temperature on the microstructure of thin film process, impact resistance change characteristics, analyzed the conductive mechanism of thin film and high resistance low resistance state. The results show that the MZO film more holes of 250300 DEG C preheating treatment, while the dense MZO films of 350 DEG C preheating, no holes and a c axis preferred orientation growth by preheating treatment at different temperatures; the prepared Ag/MZO/p+-Si device showed a bipolar resistive characteristic, but by 350 DEG C preheating device samples have significantly more resistive behavior and higher resistance than high, low RHRS/RLRS (104~106); low pressure area device in a high impedance state for ohmic conduction, high resistance to high pressure zone Schottky emission current conduction in the low resistance state for space charge limited current (SCLC ) conduction.

【作者單位】： 廣西信息材料重點實驗室桂林電子科技大學材料科學與工程學院;
【基金】：國家自然科學基金(51262003) 廣西信息材料重點實驗室基金(桂科能1110908-10-Z)
【分類號】：TP333
【正文快照】： 阻變存儲器(RRAM)由于比傳統(tǒng)的Flash存儲有更快的讀寫速度、更高的存儲密度、更低的功耗、更長的數(shù)據(jù)保持時間及與CMOS工藝兼容等優(yōu)點,吸引了大批的科學家進行研究,且已有大量的具有電致阻變效應的介質材料的報道,如Ni O[1]、Zr O2[2]、Ti O2[3]、Sr Z-r O3[4]、La1-XSrXMn O3

【參考文獻】

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1 何建廷;魏芹芹;楊淑連;李田澤;;在不同襯底上生長ZnO薄膜及其特性研究[J];電子元件與材料;2014年01期

【二級參考文獻】

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【相似文獻】

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1 孔垂輝;預熱處理對大鼠大強度運動后肝臟Hsp70和抗氧化能力的影響[D];北京體育大學;2007年

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本文編號：1411765