本文關鍵詞：快閃存儲器閾值電壓分布讀取和修正方法　出處：《固體電子學研究與進展》2014年02期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：在快閃存儲器中,多晶硅浮柵的漏電、存儲單元之間的干擾、長期的編程擦除操作都會使存儲單元的閾值電壓發(fā)生漂移,使采用多電平技術的快閃存儲器的閾值電壓分布規(guī)劃變得越來越困難。針對這一問題,提出了一種快閃存儲器閾值電壓分布讀取方法,該方法能準確地測量快閃存儲器的閾值電壓分布,給快閃存儲器閾值電壓分布規(guī)劃和編程擦除算法的設計提供參考。
[Abstract]:In flash memory, the leakage of polysilicon floating gate, the interference between memory cells, and the long-term programming erasure will cause the threshold voltage of memory cell to drift. It is more and more difficult to plan the threshold voltage distribution of flash memory using multilevel technology. In order to solve this problem, a reading method for threshold voltage distribution of flash memory is proposed. This method can accurately measure the threshold voltage distribution of flash memory and provide a reference for the design of threshold voltage distribution planning and programming erasure algorithm of flash memory.
【作者單位】： 清華大學微電子學研究所;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(61106102)
【分類號】：TP333
【正文快照】： 引言快閃存儲器(Flash memory)作為現(xiàn)今一種主流的存儲介質,具有高密度、高速塊擦除、低成本等優(yōu)點,被廣泛運用于各類數(shù)碼產(chǎn)品。多電平(Multi-levelcell,MLC)技術[1-5]是快閃存儲器發(fā)展的一個重要趨勢,該技術將快閃存儲器的閾值電壓分為多個區(qū)域,使單個存儲單元能夠實現(xiàn)多比

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本文編號：1404010