本文關鍵詞：納米針尖對阻變存儲器性能改善的研究

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【摘要】：隨著大規(guī)模集成電路技術的持續(xù)發(fā)展,來自量子隧穿和電容耦合效應等問題的挑戰(zhàn)使得傳統(tǒng)Flash存儲器技術難以滿足摩爾定律的發(fā)展,在后摩爾時代采用新型非揮發(fā)性存儲技術成為必然�；陔娮柁D變機制的新型非揮發(fā)存儲器越來越多地受到工業(yè)界和學術界的關注。近些年,阻變存儲器技術取得了迅速發(fā)展,但是在該領域還存在一些關鍵性的問題沒有解決,如：不明確的電阻轉變機制以及其內部的載流子輸運機制、較差的轉變參數(shù)離散性、較高的功耗以及陣列集成中的漏電問題等。本文在改善轉變參數(shù)的離散性方面進行了探索與研究。主要工作包括：(1)研究了工藝參數(shù)對于法刻蝕形貌的影響。利用ICP刻蝕制備了可用于RRAM器件制作的納米針尖,針尖尖端直徑為13.51 nm。(2)制備了平面結構及針尖結構兩種器件,對兩種器件的SET電壓、SET電流、RESET電壓、RESET電流、Roff、Ron等參數(shù)分別作了Weibull統(tǒng)計分布并進行了對比。結果表明利用納米針尖改善RRAM器件的方法是可行的。
【學位授予單位】：北京化工大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2016
【分類號】：TP333

【參考文獻】

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1 王永;管偉華;龍世兵;劉明;謝常青;;阻變式存儲器存儲機理[J];物理;2008年12期

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本文編號：1170131