本文關(guān)鍵詞：納米靜態(tài)隨機(jī)存儲器低能質(zhì)子單粒子翻轉(zhuǎn)敏感性研究

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【摘要】：針對65,90,250 nm三種不同特征尺寸的靜態(tài)隨機(jī)存儲器基于國內(nèi)和國外質(zhì)子加速器試驗平臺,獲取了從低能到高能完整的質(zhì)子單粒子翻轉(zhuǎn)截面曲線.試驗結(jié)果表明,對于納米器件1 MeV以下低能質(zhì)子所引起的單粒子翻轉(zhuǎn)截面比高能質(zhì)子單粒子翻轉(zhuǎn)飽和截面最高可達(dá)3個數(shù)量級.采用基于試驗數(shù)據(jù)和器件信息相結(jié)合的方法,構(gòu)建了較為精確的復(fù)合靈敏體積幾何結(jié)構(gòu)模型,在此基礎(chǔ)上采用蒙特卡羅方法揭示了低能質(zhì)子穿過多層金屬布線層,由于能量岐離使展寬能譜處于布拉格峰值的附近,通過直接電離方式將能量集中沉積在靈敏體積內(nèi),是導(dǎo)致單粒子翻轉(zhuǎn)截面峰值的根本原因.并針對某一軌道環(huán)境預(yù)估了低能質(zhì)子對空間質(zhì)子單粒子翻轉(zhuǎn)率的貢獻(xiàn).
【作者單位】： 強(qiáng)脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國家重點(diǎn)實驗室西北核技術(shù)研究所;
【關(guān)鍵詞】： 低能質(zhì)子 納米靜態(tài)隨機(jī)存儲器 單粒子翻轉(zhuǎn) 直接電離
【基金】：國家科技重大專項(批準(zhǔn)號:2014ZX01022-301) 國防科技預(yù)研項目(批準(zhǔn)號:51308040407) 國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃(批準(zhǔn)號:613224)資助的課題~~
【分類號】：TP333
【正文快照】： 觀測到當(dāng)特征尺寸到了45 nm以下,低能質(zhì)子直接1引言電離甚至能夠引發(fā)單粒子多位翻轉(zhuǎn)[9,10];分析了低能質(zhì)子單粒子效應(yīng)對現(xiàn)有質(zhì)子單粒子效應(yīng)模擬質(zhì)子是空間輻射環(huán)境中造成航天器電子學(xué)系試驗技術(shù)和空間翻轉(zhuǎn)率預(yù)估方法帶來的影響,采統(tǒng)失效的重要來源,通常認(rèn)為只有中高能質(zhì)子與材

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本文編號：1095430