本文關(guān)鍵詞：STT-MRAM存儲器的研究進展

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【摘要】：基于自旋轉(zhuǎn)移矩的磁性隨機存儲器(Spin Transfer Torque-Based Magnetoresistive RAM,STT-MRAM)具有非易失性、可無限擦寫和快速寫入等優(yōu)點而有望成為下一代低功耗通用存儲器.尤其是近年來STT-MRAM商用芯片的成功問世進一步推動了該器件的研究與應用.本文首先闡述了MRAM的基本原理與發(fā)展歷程,著重介紹了寫入技術(shù)的演變以及磁各向異性的改善.然后總結(jié)了近期在3個領(lǐng)域的研究成果:(1)學術(shù)界開展了大量研究以探討制備工藝和器件結(jié)構(gòu)等因素對界面垂直磁各向異性的影響;(2)CoFeB-MgO雙界面結(jié)構(gòu)被提出,該結(jié)構(gòu)在不增大寫入電流的前提下增強了磁隧道結(jié)的熱穩(wěn)定性勢壘;(3)新興的自旋軌道矩寫入方式引起了廣泛的關(guān)注,該技術(shù)有望解決傳統(tǒng)自旋轉(zhuǎn)移矩所面臨的速度瓶頸和勢壘擊穿風險.最后,本文扼要地介紹了STT-MRAM在芯片設(shè)計領(lǐng)域的最新進展.
【作者單位】： 北京航空航天大學費爾北京研究院;北京航空航天大學電子信息工程學院;
【關(guān)鍵詞】： 垂直磁各向異性 自旋轉(zhuǎn)移矩 自旋軌道矩 雙界面磁隧道結(jié) 磁性隨機存儲器 低功耗 非易失
【基金】：國家自然科學基金(編號:61571023,61501013,61471015) 國家科技部國際科技合作與交流項目項目(編號:2015DFE12880) 中國博士后科學基金(編號:2015M570024) 北京市科委項目(編號:D15110300320000)資助
【分類號】：TP333
【正文快照】： 1引言 存儲器是計算機體系結(jié)構(gòu)中的重要組成部分,對計算機的速度、集成度和功耗等都有決定性的影響.然而,目前的存儲器難以同時兼顧各項性能指標,例如,硬盤的存儲容量較高(可達1.3 Tb/in2)[1],但訪問速度極慢(通常為微秒級).緩存則相反,具有高速和低集成度的特點.為充分發(fā)揮

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本文編號：1015123