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Cu調控的TiN-Cu納米復合膜包覆鈦合金的抗菌性研究

發(fā)布時間:2023-05-07 19:28
  利用磁控共濺射技術在鈦合金(Ti6Al4V)表面包覆氮化鈦-銅納米(TiN-Cu)復合膜,并通過控制Cu靶濺射功率實現對TiN-Cu薄膜中Cu含量的調節(jié),進而實現對材料耐蝕性和抗菌性的協同調控。采用掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡、X射線衍射儀、能譜儀分析了包覆TiN-Cu納米復合膜的鈦合金的表面形貌、相結構、元素成分及價態(tài),并在模擬體液條件下測試了該材料的耐腐蝕性能,通過體外抗菌實驗評價了Cu含量對材料抗菌性的影響。結果表明:通過在Ti6Al4V表面包覆TiN-Cu納米復合薄膜顯著增強了材料的抗菌性;并抑制了有毒性的V4+、Al3+離子在體液中的釋放。Cu靶濺射功率升高在提高TiN-Cu薄膜中Cu含量和薄膜沉積速率的同時,也導致了薄膜中大量柱狀晶體結構的生成,加速了薄膜的腐蝕,但提高了抗菌性。綜上,合理調控Cu的含量是協同提升TiN-Cu薄膜的耐腐蝕性及抗菌性的關鍵。

【文章頁數】:8 頁

【文章目錄】:
1 實驗
    1.1 TiN薄膜及TiN-Cu復合薄膜制備
    1.2 離子釋放量測試
    1.3 結構與成分分析
    1.4 腐蝕性能、蛋白粘附性能及體外抗菌性測試
2 結果與討論
3 結論



本文編號:3811193

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