發(fā)布時間：2023-04-28 23:57

　　采用中斷法并結(jié)合電子背散射衍射(EBSD)技術(shù),研究了Hi-B鋼二次再結(jié)晶退火過程中大量未異常長大Goss取向晶粒的晶界特征。結(jié)果表明:未異常長大Goss取向晶粒的晶粒尺寸相較于基體晶粒和相鄰晶粒并沒有明顯的差異性。同時未異常長大Goss取向晶粒與異常長大Goss取向晶粒周圍的HE晶界和CSL晶界比例也沒有明顯的差異。在二次再結(jié)晶退火過程中,尺寸優(yōu)勢、HE晶界、CSL晶界和Goss取向偏離度都不能保證Goss取向晶粒發(fā)生異常長大。而隨著退火溫度的升高,Goss取向晶粒有逐漸向標(biāo)準(zhǔn)Goss晶粒取向靠攏的趨勢。

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 試驗方法
2 試驗結(jié)果與分析
    2.1 Goss晶粒尺寸特征分析
    2.2 Goss晶粒周圍特殊晶界分析
    2.3 Goss晶粒偏離度分析
3 結(jié)論



本文編號：3804744