新型3D合金屏蔽效能的MCNP模擬
發(fā)布時(shí)間:2021-05-09 12:08
用Monte20Carlo程序(MCNP)模擬研究不同摻雜組分與不同摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)合金對(duì)低能X射線譜的屏蔽效能.模擬結(jié)果表明:合金的屏蔽效能與摻雜組分原子序數(shù)呈正相關(guān),與摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)呈正相關(guān)(ΔZ>0)或負(fù)相關(guān)(ΔZ<0);ΔZ絕對(duì)值越大,合金的屏蔽效能變化越大,且變化幅度與摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)呈正相關(guān);20TaW合金的屏蔽效能最好,摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)的變化對(duì)其屏蔽性能影響最小;在低能能譜范圍內(nèi),不同能量X射線透射率的MCNP模擬結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果基本一致.
【文章來源】:吉林大學(xué)學(xué)報(bào)(理學(xué)版). 2020,58(04)北大核心
【文章頁數(shù)】:4 頁
【文章目錄】:
1 方法與模型
2 模擬結(jié)果
2.1 不同摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)下不同合金的屏蔽效能
2.2 摻雜組分與基體材料原子序數(shù)差值對(duì)合金屏蔽效能的影響
3 模擬結(jié)果驗(yàn)證
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]γ能譜Compton抑制的MCNP模擬[J]. 劉珉強(qiáng),杜川華,馬玉剛. 吉林大學(xué)學(xué)報(bào)(理學(xué)版). 2019(04)
[2]屏蔽空間電離總劑量的CMOS20IC封裝[J]. 張文娟,張金利,李軍. 信息與電子工程. 2012(04)
[3]抗輻射加固封裝國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器的電子輻照試驗(yàn)[J]. 衛(wèi)寧,王劍峰,杜婕,周聰莉,郭旗,文林. 信息與電子工程. 2010(01)
[4]Kovar封裝CMOS器件X射線劑量增強(qiáng)效應(yīng)研究[J]. 羅尹虹,龔建成,何寶平,郭紅霞. 核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù). 2005(06)
[5]集成電路的二次封裝屏蔽硬X射線研究[J]. 郭紅霞,韓福斌,陳雨生,謝亞寧,黃宇營(yíng),何偉,胡天斗,衛(wèi)寧,于倫正. 核技術(shù). 2004(12)
[6]金屬材料激光立體成形技術(shù)[J]. 黃衛(wèi)東,李延民,馮莉萍,陳靜,楊海歐,林鑫. 材料工程. 2002(03)
[7]金屬零件激光快速成型技術(shù)研究[J]. 張永忠,章萍芝,石力開,徐駿,席明哲,程晶. 材料導(dǎo)報(bào). 2001(12)
本文編號(hào):3177280
【文章來源】:吉林大學(xué)學(xué)報(bào)(理學(xué)版). 2020,58(04)北大核心
【文章頁數(shù)】:4 頁
【文章目錄】:
1 方法與模型
2 模擬結(jié)果
2.1 不同摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)下不同合金的屏蔽效能
2.2 摻雜組分與基體材料原子序數(shù)差值對(duì)合金屏蔽效能的影響
3 模擬結(jié)果驗(yàn)證
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]γ能譜Compton抑制的MCNP模擬[J]. 劉珉強(qiáng),杜川華,馬玉剛. 吉林大學(xué)學(xué)報(bào)(理學(xué)版). 2019(04)
[2]屏蔽空間電離總劑量的CMOS20IC封裝[J]. 張文娟,張金利,李軍. 信息與電子工程. 2012(04)
[3]抗輻射加固封裝國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器的電子輻照試驗(yàn)[J]. 衛(wèi)寧,王劍峰,杜婕,周聰莉,郭旗,文林. 信息與電子工程. 2010(01)
[4]Kovar封裝CMOS器件X射線劑量增強(qiáng)效應(yīng)研究[J]. 羅尹虹,龔建成,何寶平,郭紅霞. 核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù). 2005(06)
[5]集成電路的二次封裝屏蔽硬X射線研究[J]. 郭紅霞,韓福斌,陳雨生,謝亞寧,黃宇營(yíng),何偉,胡天斗,衛(wèi)寧,于倫正. 核技術(shù). 2004(12)
[6]金屬材料激光立體成形技術(shù)[J]. 黃衛(wèi)東,李延民,馮莉萍,陳靜,楊海歐,林鑫. 材料工程. 2002(03)
[7]金屬零件激光快速成型技術(shù)研究[J]. 張永忠,章萍芝,石力開,徐駿,席明哲,程晶. 材料導(dǎo)報(bào). 2001(12)
本文編號(hào):3177280
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