【摘要】：利用Fe-Ga磁特性測(cè)試裝置進(jìn)行動(dòng)態(tài)磁致伸縮測(cè)量時(shí),受激勵(lì)線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)的影響,測(cè)試樣品的應(yīng)變通常偏大,本文對(duì)此做了分析并進(jìn)行驗(yàn)證。通過(guò)分析Fe-Ga動(dòng)態(tài)磁致伸縮測(cè)量過(guò)程,對(duì)原測(cè)試裝置進(jìn)行了改進(jìn)。將樣品的一端固定在極頭上并調(diào)節(jié)激勵(lì)磁場(chǎng)使其在樣品飽和磁場(chǎng)附近,以消除機(jī)械振動(dòng)對(duì)動(dòng)態(tài)磁致伸縮測(cè)試產(chǎn)生的影響。采用多參數(shù)磁學(xué)測(cè)試系統(tǒng)和改進(jìn)前后的Fe-Ga特性測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行Fe-Ga靜態(tài)和動(dòng)態(tài)磁致伸縮特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)。結(jié)果表明:采用改進(jìn)的Fe-Ga磁特性測(cè)試裝置可在低飽和場(chǎng)下精確測(cè)量動(dòng)態(tài)應(yīng)變。實(shí)驗(yàn)還測(cè)試了Fe-Ga在2.7kA/m偏置磁場(chǎng)作用下的動(dòng)態(tài)磁致伸縮特性,結(jié)果表明:(1)偏置磁場(chǎng)作用下應(yīng)變與磁場(chǎng)同頻;(2)應(yīng)變對(duì)磁場(chǎng)的滯后隨磁場(chǎng)頻率的增加而增大;(3)λ~H曲線為橢圓形且橢圓環(huán)的面積隨頻率的增大而增大。上述結(jié)果表明,本文提出的改進(jìn)裝置可有效消除振動(dòng)產(chǎn)生的額外應(yīng)變。
[Abstract]:When the dynamic magnetostriction measurement is carried out by using the Fe-Ga test device, the strain of the test sample is usually too large, which is influenced by the magnetic field produced by the exciting coil. This paper analyses and verifies this. By analyzing the process of Fe-Ga dynamic magnetostriction measurement, the original testing device is improved. One end of the sample is fixed on the pole and the excitation magnetic field is adjusted to close to the saturation magnetic field of the sample to eliminate the effect of mechanical vibration on the dynamic magnetostriction test. The static and dynamic magnetostrictive properties of Fe-Ga were tested by using the multi-parameter magnetic test system and the improved Fe-Ga characteristic test system. The results show that the dynamic strain can be accurately measured in low saturation field by using the improved Fe-Ga device. The dynamic magnetostriction characteristics of Fe-Ga under the action of 2.7kA/m bias magnetic field are also tested. The results show that: (1) the strain and magnetic field are the same frequency under the bias magnetic field; (2) the hysteresis of the strain to the magnetic field increases with the increase of the frequency of the magnetic field, (3) the 位 ~ H curve is elliptical and the area of the elliptic loop increases with the increase of the frequency. The above results show that the improved device proposed in this paper can effectively eliminate the additional strain caused by vibration.
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電磁場(chǎng)與電器可靠性省部共建重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(No.51171057) 河北省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(No.E2017202035)
【分類(lèi)號(hào)】：TG115.27

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本文編號(hào)：2396998