隨著光學(xué)與微電子領(lǐng)域的不斷發(fā)展,對(duì)零件的表面精度、分辨率、穩(wěn)定性以及形貌等各方面結(jié)構(gòu)性能都提出了嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn),尤其是針對(duì)光學(xué)元件,更是要求其無表面損傷以及納米級(jí)別的表面粗糙度。目前在光學(xué)制造領(lǐng)域,復(fù)雜曲面由于其自身顯著的優(yōu)點(diǎn)因而在市場上的運(yùn)用越來越廣泛,但隨之而來的是如何實(shí)現(xiàn)復(fù)雜曲面超光滑表面的大規(guī)模加工制造這一技術(shù)難題。為此,全球光學(xué)加工領(lǐng)域的研究學(xué)者都致力于開發(fā)新的超光滑表面加工技術(shù),以期實(shí)現(xiàn)各種復(fù)雜曲面光學(xué)元件超光滑表面的生成。本文基于紫外光誘導(dǎo)納米顆粒膠體射流加工技術(shù),對(duì)光耦合TiO₂納米顆粒膠體射流創(chuàng)生單晶硅超光滑表面加工過程中,膠體環(huán)境中的TiO₂納米顆粒與兩種單晶硅表面結(jié)構(gòu)處的Si原子之間的相互作用關(guān)系以及后續(xù)單晶硅界面原子鍵的斷裂采用了仿真與實(shí)驗(yàn)相結(jié)合的研究方法,對(duì)光耦合下膠體射流單晶硅超光滑表面生成機(jī)理進(jìn)行分析。由于光耦合膠體射流加工是依賴于膠體中的納米顆粒在光場以及射流動(dòng)壓場的作用下與待加工表面原子發(fā)生一系列的界面化學(xué)反應(yīng)從而實(shí)現(xiàn)材料表面的原子級(jí)去除,所以需用到量子化學(xué)研究方法對(duì)拋光過程中各個(gè)分子、原子間的具體反應(yīng)路徑以及體系...

【文章頁數(shù)】：70 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.2磁流變拋光原理圖和加工系統(tǒng)圖

進(jìn)而使得Bingham介質(zhì)觸碰到待加工工件時(shí)，會(huì)在其表機(jī)械剪切力，依靠這種機(jī)械作用實(shí)現(xiàn)對(duì)待加工表面的拋光修整。前各國對(duì)MF技術(shù)的研究仍然在繼續(xù)探究和完善當(dāng)中。比如，長春人針對(duì)超大口徑光學(xué)元件的加工問題，在原有MF理論上，提出了光技術(shù)，相對(duì)于傳統(tǒng)的MF技術(shù)，帶式磁流....

圖1.3液體射流拋光原理圖

圖1.3液體射流拋光原理圖1.3.2機(jī)械化學(xué)共同作用去除材料加工方法在所有由機(jī)械和化學(xué)共同作用對(duì)工件表面進(jìn)行材料去除的超精密加工方法中最典型的拋光技術(shù)就是化學(xué)機(jī)械拋光（ChemicalMechanicalPolishing，CMP）�；瘜W(xué)機(jī)械拋光最初是由美國IBM集....

圖1.4化學(xué)機(jī)械拋光加工過程示意圖

圖1.4化學(xué)機(jī)械拋光加工過程示意圖表面材料去除的加工方法相加工（PlasmaChemicalVaporMach加工技術(shù)是通過樣品表面原子在高能會(huì)從工件表面濺射出來，從而使工件生體化學(xué)氣相加工拋光原理圖。在利用P等離子體發(fā)生裝置中通入特殊的具有強(qiáng)腐蝕性氣體發(fā)生電離產(chǎn)生大....

圖1.5等離子體拋光設(shè)備原理圖

圖1.4化學(xué)機(jī)械拋光加工過程示意圖應(yīng)對(duì)表面材料去除的加工方法氣相加工（PlasmaChemicalVaporMachinin相加工技術(shù)是通過樣品表面原子在高能離物會(huì)從工件表面濺射出來，從而使工件生成子體化學(xué)氣相加工拋光原理圖。在利用PCV往等離子體發(fā)生裝置中通入特殊的....

本文編號(hào)：4012396