為了探究二維材料在片上可調(diào)有源光學(xué)器件領(lǐng)域的應(yīng)用潛力,通過干法轉(zhuǎn)印將由機(jī)械剝離法得到的高品質(zhì)單層二硒化鉬轉(zhuǎn)移到正面涂有150nm厚聚甲基丙烯酸甲酯的雙軸壓電陶瓷上,制作出可應(yīng)力調(diào)控發(fā)光性質(zhì)的單層二硒化鉬光源.對(duì)雙軸壓電陶瓷施加驅(qū)動(dòng)電壓,使電信號(hào)轉(zhuǎn)化為應(yīng)力信號(hào),觀察低溫下(～5K)二硒化鉬光致發(fā)光光譜中本征激子態(tài)、帶電激子態(tài)信號(hào)峰隨應(yīng)力變化的規(guī)律.結(jié)果表明:在應(yīng)力由拉伸應(yīng)力轉(zhuǎn)變?yōu)閴簯?yīng)力并逐漸增大的過程中,本征激子態(tài)、帶電激子態(tài)信號(hào)峰分別出現(xiàn)了～3.8meV、～3.7meV的波長藍(lán)移.增大壓應(yīng)力、拉伸應(yīng)力都會(huì)導(dǎo)致本征激子態(tài)、帶電激子態(tài)信號(hào)峰光強(qiáng)線性降低.同時(shí),與泵浦光圓極化相關(guān)的圓偏振度也隨應(yīng)力變化表現(xiàn)出規(guī)律性改變.此項(xiàng)研究證明了應(yīng)力調(diào)控與單層二硒化鉬光學(xué)性質(zhì)之間的緊密關(guān)系,為開發(fā)各類基于二維材料的片上可調(diào)有源光學(xué)器件提供支持.

【文章頁數(shù)】：8 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 樣品制備
2 測試
3 結(jié)果分析
    3.1 應(yīng)力調(diào)控單層MoSe2信號(hào)光波長偏移及發(fā)光強(qiáng)度
    3.2 應(yīng)力調(diào)控單層MoSe2信號(hào)光圓偏振度
4 結(jié)論



本文編號(hào)：3925676