發(fā)布時間：2023-05-12 20:18

　　利用兩步法-金屬輔助化學刻蝕法(metal-assisted chemical etching, MACE)制備硅納米線(silicon nanowires,SINWs)樣品。研究了刻蝕溫度、刻蝕時間、過氧化氫(H₂O₂)濃度對樣品SINWs的形貌和反射率影響。研究發(fā)現(xiàn),隨著刻蝕時間增加, SINWs樣品的長度隨之增加,而反射率降低。H₂O₂濃度提高, SINWs樣品的長度也增加,在濃度為0.1 mol/L時反射率降至最低。刻蝕溫度升高, SINWs樣品的長度先增加,然后隨著SINWs生長速率變快的同時樣品的形貌結(jié)構(gòu)遭到破壞,反射率呈總體上升趨勢。實驗結(jié)果表明,改變制備過程中的反應(yīng)條件,對SINWs的形貌會具有較大影響,同時SINWs陣列的反射率也會改變。SINWs的反射率強烈依賴于SINWs的長度、規(guī)整程度和空隙率大小等。

【文章頁數(shù)】：9 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實驗部分
2 結(jié)果與討論
    2.1 刻蝕溫度對SINWs形貌和反射率影響
    2.2 刻蝕時間對SINWs形貌和反射率影響
    2.3 不同過氧化氫(H2O2)濃度對SINWs形貌和反射率影響
3 結(jié)論



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