硒化鉍(Bi₂Se₃)是一種優(yōu)良的熱電材料,熱電優(yōu)質(zhì)系數(shù)高,一直是熱電材料領(lǐng)域的重要研究對(duì)象。近年來(lái)的研究又發(fā)現(xiàn),Bi₂Se₃是一種新型三維拓?fù)浣^緣體材料,由于其毒性低、易合成、能帶結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,能隙大(0.3 eV,等價(jià)于3600 K),在自旋電子器件、超導(dǎo)體、光學(xué)器件和室溫低能耗電子器件方面有巨大應(yīng)用前景。本文采用布里奇曼法制備Bi₂Se₃單晶。以高純度(5N)的Bi₂Se₃粉末為原料,通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)生長(zhǎng)溫場(chǎng),制備出一組Bi₂Se₃單晶樣品。然后根據(jù)幾何淘汰規(guī)律,并通過(guò)多次試驗(yàn),優(yōu)化了生長(zhǎng)石英安瓿,再以高純度(5N)的Bi₂Se₃粉末,并在其中摻入5%的Se粉為原料,制備出第二組Bi₂Se₃單晶。X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡和拉曼光譜測(cè)試表明,兩組樣品均為沿[001]方向生長(zhǎng)的Bi

【文章頁(yè)數(shù)】：45 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 前言
    1.1 Bi₂Se₃簡(jiǎn)介
    1.2 Bi₂Se₃單晶結(jié)構(gòu)
    1.3 Bi₂Se₃單晶制備
        1.3.1 Bi₂Se₃單晶制備方法
        1.3.2 Bi₂Se₃單晶工藝研究進(jìn)展
    1.4 Bi₂Se₃單晶的拉曼光譜研究進(jìn)展
    1.5 論文選題目的和研究?jī)?nèi)容
第2章 Bi₂Se₃單晶的生長(zhǎng)工藝及性能表征
    2.1 Bi₂Se₃單晶生長(zhǎng)溫場(chǎng)設(shè)計(jì)
    2.2 石英安瓿優(yōu)化
    2.3 Bi₂Se₃單晶制備
    2.4 Bi₂Se₃單晶性能表征
        2.4.1 XRD測(cè)試
        2.4.2 拉曼光譜原理及表征
        2.4.3 微觀形貌及成分分析
    2.5 小結(jié)
第3章 不同溫度和激光功率下的Bi₂Se₃單晶拉曼光譜
    3.1 不同溫度下的Bi₂Se₃單晶拉曼光譜
    3.2 不同激光功率下的Bi₂Se₃單晶拉曼光譜
    3.3 小結(jié)
第4章 結(jié)論與展望
參考文獻(xiàn)
致謝
在學(xué)期間的科研情況



本文編號(hào)：3805780