本文利用快速熱處理（Rapid thermal processing,RTP）技術及低—高常規(guī)熱處理工藝,對硼摻雜單晶硅中的微缺陷進行了系統(tǒng)研究。重點探討了輕摻硼和重摻硼直拉（CZ）單晶硅在Ar、O₂氣氛中進行單步或兩步RTP及后續(xù)低—高熱處理工藝后,單晶硅體內微缺陷（BMD）和近表面有源區(qū)潔凈區(qū)（DZ）的形成情況。同時對表面有原生微缺陷的硼摻雜單晶硅進行快速熱處理（RTP）研究,進一步分析了RTP技術對單晶硅中微缺陷的調控作用和近表面潔凈區(qū)（DZ）形成的促進作用。通過在Ar氣氛和O₂氣氛中進行單步RTP及低—高熱處理,研究了RTP退火氣氛、退火時間及降溫速率對硼摻雜單晶硅中BMD和DZ形成的影響。在Ar氣氛中,研究發(fā)現(xiàn)隨著RTP時間的增加輕摻硼單晶硅BMD密度和DZ寬度均增加,隨著RTP降溫速率的增大,BMD密度增加,DZ寬度減小;而重摻硼單晶硅隨著RTP時間的增加BMD密度增加,無DZ出現(xiàn),隨著RTP降溫速率的增大,BMD密度在下降,同樣無DZ出現(xiàn)。在O₂氣氛中,發(fā)現(xiàn)隨著RTP時間的延長,輕摻和重摻硼單晶硅中BMD密... 

【文章來源】：鄭州大學河南省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：79 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

硅中的受主雜質硼

圖 1.2 硼濃度與硅片硬度的關系單晶硅中的氧及氧沉淀雜單晶硅中氧的來源單晶硅生長過程中不可避免而引入的雜質，它主要來自于隙氧的形式存在于硅單晶中，其濃度在 1017-1018atom/cm3的過程中將會發(fā)生以下化學反應：Si SiO2SiO2 流的作用，大部分的 SiO 將會從硅熔體的表面揮發(fā)出去，帶走，只有一少部分的 SiO 在高溫下分解而融入到硅晶體SiO Si O晶體中的氧原子，為了達到其穩(wěn)定的狀態(tài)，就會和其最近個共價鍵，成為非線性的 Si-O-Si 分子。雖然只有一少部

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本文編號：3591616