溝道長度和寬度對石墨烯場效應(yīng)晶體管電荷輸運的影響(英文)
發(fā)布時間:2021-11-25 09:59
本文基于理論的方法研究了溝道長度和寬度對石墨烯場效應(yīng)晶體管中大信號和小信號參數(shù)的影響.在快速飽和及高特征頻率條件下,石墨烯場效應(yīng)晶體管均表現(xiàn)出優(yōu)異的性能.從傳遞曲線可以看到,隨著溝道長度從440 nm變到20 nm,產(chǎn)生了一個從0.15 V到0.35 V的狄拉克點正偏移,同時也揭示了石墨烯的雙極特性.而且,由于溝道變寬及漏電流增加,當溝道寬度為2μm和5μm時,相應(yīng)的最大電流為2.4 mA和6 mA.另外,還在石墨烯場效應(yīng)晶體管中觀察到了幾乎對稱的電容-電壓特性,電容會隨著溝道變短而減小,但另一方面電容又可以通過溝道展寬來增加.最后,在溝道長度為20 nm處獲得了一個6.4 mS的高跨導,在溝道寬度為5μm處獲得的跨導值為4.45 mS,特征頻率為3.95 THz.
【文章來源】:Chinese Journal of Chemical Physics. 2020,33(06)SCICSCD
【文章頁數(shù)】:7 頁
【文章目錄】:
I.INTRODUCTION
II.GFET MODEL
III.MATHEMATICAL MODELS AND METHODS
IV.RESULTS AND DISCUSSION
A.Large signal analysis
B.Small signal analysis
1.The transconductance gm
2.The gate-source capacitance Cgs
3.The transit frequency f T
V.CONCLUSION
本文編號:3517908
【文章來源】:Chinese Journal of Chemical Physics. 2020,33(06)SCICSCD
【文章頁數(shù)】:7 頁
【文章目錄】:
I.INTRODUCTION
II.GFET MODEL
III.MATHEMATICAL MODELS AND METHODS
IV.RESULTS AND DISCUSSION
A.Large signal analysis
B.Small signal analysis
1.The transconductance gm
2.The gate-source capacitance Cgs
3.The transit frequency f T
V.CONCLUSION
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