本文關(guān)鍵詞：γ射線輻射誘導(dǎo)聚碳硅烷自由基的衰變

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【摘要】：利用電子自旋共振波譜(ESR)研究了在N2氣中γ射線輻射誘導(dǎo)聚碳硅烷(PCS)自由基的產(chǎn)生和演變行為.ESR譜圖分析結(jié)果表明,γ射線輻射誘導(dǎo)PCS產(chǎn)生的自由基為硅自由基(≡Si·).低劑量輻照時硅自由基的濃度隨吸收劑量的增加而線性增加,硅自由基的輻射化學(xué)產(chǎn)額G值約為9,吸收劑量達到200 k Gy后,硅自由基的濃度趨于飽和.室溫下硅自由基的濃度隨存儲時間的延長而逐漸降低,在N2氣中存儲時硅自由基的半衰期約23 d,在空氣中存儲時硅自由基的氧化反應(yīng)導(dǎo)致衰減速率加快,半衰期僅為8 h.溫度升高硅自由基衰減速率加快,在N2氣中250℃加熱處理可以完全清除硅自由基.
【作者單位】： 上海大學(xué)理學(xué)院;中國科學(xué)院上海應(yīng)用物理研究所;
【關(guān)鍵詞】： 電子自旋共振 聚碳硅烷 γ射線輻射 自由基
【基金】：中國科學(xué)院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項子課題(批準號:XDA02040300) 國家自然科學(xué)基金(批準號:11575279) 上海市自然科學(xué)基金(批準號:15ZR1448600)資助~~
【分類號】：O634.41
【正文快照】： 聚碳硅烷(PCS)是一種主鏈含有Si和C原子的有機硅聚合物,可通過高溫?zé)峤廪D(zhuǎn)化為碳化硅(Si C),是Si C陶瓷材料的先驅(qū)化合物之一.Si C陶瓷具有耐高溫、抗沖刷、耐腐蝕、質(zhì)量輕及熱傳導(dǎo)性能良好等優(yōu)點,廣泛應(yīng)用于航空航天等高端制造領(lǐng)域[1~4].作為Si C陶瓷的先驅(qū)化合物,PCS具有流動

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本文編號：530968