由于空間輻射環(huán)境充滿了各類射線和高能粒子,非常容易誘發(fā)集成電路發(fā)生單粒子效應(yīng),因此有必要開發(fā)對(duì)應(yīng)的評(píng)估技術(shù),分析單粒子效應(yīng)對(duì)超大規(guī)模集成電路(VLSI)的影響。以ISCAS89測(cè)試基準(zhǔn)電路為主要研究對(duì)象,提出了一種適用于VLSI的單粒子效應(yīng)評(píng)估技術(shù),可以通過腳本自動(dòng)生成仿真和測(cè)試文件,實(shí)現(xiàn)任意節(jié)點(diǎn)的故障注入,并可以在任何一種支持硬件描述語言的EDA仿真工具上進(jìn)行評(píng)估。分別對(duì)使用三模冗余技術(shù)、自刷新寄存器技術(shù)加固后的電路和原始電路進(jìn)行了對(duì)比評(píng)估。評(píng)估結(jié)果符合邏輯,驗(yàn)證了門級(jí)單粒子效應(yīng)評(píng)估測(cè)試技術(shù)的有效性。通過提出的評(píng)估技術(shù),可以快速評(píng)估電路的抗輻射能力,提高查找設(shè)計(jì)缺陷、對(duì)電路進(jìn)行針對(duì)性加固的效率,對(duì)于提高集成電路的安全性和穩(wěn)定性有著重要的應(yīng)用價(jià)值。

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 門電路單元的HDL級(jí)建模
    1.1 參數(shù)定義
    1.2 電路原始邏輯
    1.3 單粒子事件描述
2 超大規(guī)模集成電路的分析流程
3 仿真驗(yàn)證
4 結(jié)束語



本文編號(hào)：3932436