碲化鉍基熱電半導(dǎo)體晶體空間生長(zhǎng)
本文關(guān)鍵詞:碲化鉍基熱電半導(dǎo)體晶體空間生長(zhǎng)
更多相關(guān)文章: 碲化鉍基材料 空間微重力 區(qū)熔生長(zhǎng) 溶質(zhì)輸運(yùn) 熱電傳輸特性
【摘要】:碲化鉍基熱電半導(dǎo)體是中低溫區(qū)高性能熱電材料,在熱電致冷、電子器件精確控溫領(lǐng)域獲得了重要應(yīng)用,且在更多領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景.碲化鉍基材料通常采用區(qū)熔法制備,材料的性能優(yōu)值ZT約為0.8.應(yīng)用要求進(jìn)一步提高其ZT值.合金化和摻雜優(yōu)化是提高碲化鉍基材料性能的有效途徑,但會(huì)使得材料的化學(xué)成分越來(lái)越復(fù)雜.重力條件下區(qū)熔的固有問(wèn)題是,重力導(dǎo)致的浮力對(duì)流和壁附效應(yīng)凸顯,使區(qū)熔碲化鉍基材料成分和性能波動(dòng)較大.空間微重力可以消除重力導(dǎo)致的浮力對(duì)流和壁附效應(yīng),有望提高碲化鉍基材料的成分均勻性和熱電性能.本文根據(jù)碲化鉍基材料空間微重力下區(qū)熔生長(zhǎng)研究狀況,對(duì)實(shí)踐十號(hào)科學(xué)實(shí)驗(yàn)衛(wèi)星和天宮二號(hào)空間實(shí)驗(yàn)室將開(kāi)展的碲化鉍基材料空間微重力區(qū)熔生長(zhǎng)研究進(jìn)行了分析.
【作者單位】: 河海大學(xué)機(jī)電學(xué)院;中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所高性能陶瓷和超微結(jié)構(gòu)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】:中國(guó)科學(xué)院空間科學(xué)戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專(zhuān)項(xiàng)(XDA04020202-11-1) 中國(guó)載人空間站工程項(xiàng)目(TGJZ80701-2-RW024)共同資助
【分類(lèi)號(hào)】:V524
【正文快照】:
【參考文獻(xiàn)】
中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條
1 周燕飛;李小亞;陳立東;;在微重力條件下生長(zhǎng)n-型Bi_2Te_3基晶體的低溫?zé)犭娦阅艿难芯縖A];中國(guó)空間科學(xué)學(xué)會(huì)空間材料專(zhuān)業(yè)委員會(huì)2011學(xué)術(shù)交流會(huì)論文集[C];2011年
【相似文獻(xiàn)】
中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條
1 馬維剛;張興;;碲化鉍薄膜載能粒子相互作用的超快研究[J];工程熱物理學(xué)報(bào);2012年08期
中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前4條
1 王為;黃慶華;賈法龍;;電沉積制備碲化鉍及過(guò)程分析[A];第五屆全國(guó)表面工程學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2004年
2 鄭俊輝;;碲化鉍基熱電發(fā)電材料及器件的產(chǎn)業(yè)化及其應(yīng)用[A];2011中國(guó)材料研討會(huì)論文摘要集[C];2011年
3 曹衛(wèi)強(qiáng);高俊嶺;張建中;;熱壓碲化鉍材料溫差發(fā)電組件的輸出特性研究[A];2011中國(guó)材料研討會(huì)論文摘要集[C];2011年
4 趙新兵;沈俊杰;尹振中;朱鐵軍;;熱鍛碲化鉍基塊體材料中的動(dòng)態(tài)再結(jié)晶與織構(gòu)變化[A];2011中國(guó)材料研討會(huì)論文摘要集[C];2011年
中國(guó)重要報(bào)紙全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條
1 馮衛(wèi)東;科學(xué)家發(fā)現(xiàn)計(jì)算機(jī)芯片制造新材料[N];科技日?qǐng)?bào);2009年
,本文編號(hào):1280406
本文鏈接:http://www.sikaile.net/kejilunwen/hangkongsky/1280406.html