柱狀微結(jié)構(gòu)射流強(qiáng)化換熱性能研究
發(fā)布時(shí)間:2017-10-30 10:30
本文關(guān)鍵詞:柱狀微結(jié)構(gòu)射流強(qiáng)化換熱性能研究
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【摘要】:對(duì)電子芯片射流沖擊強(qiáng)化沸騰換熱進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究。通過(guò)干腐蝕技術(shù)在硅片表面加工出交錯(cuò)排列30μm×60μm,50μm×60μm,50μm×120μm,30μm×120μm(寬×高)的柱狀微結(jié)構(gòu),硅片尺寸為10 mm×10 mm×0.5mm。實(shí)驗(yàn)工質(zhì)為FC-72,噴射速度V_j分別為0.5,1和1.5 m·s~(-1),噴嘴數(shù)目分別為1,4和9,對(duì)應(yīng)的噴嘴直徑分別為3,1.5和1 mm,噴嘴出口到芯片表面的距離分別為3,6和9 mm。實(shí)驗(yàn)表明,交錯(cuò)排列柱狀微結(jié)構(gòu)的換熱效果要好于光滑芯片,臨界熱流密度(CHF)隨著噴射速度的增加而增加。在核態(tài)沸騰區(qū)的整個(gè)噴射速度區(qū)間內(nèi),S-PF30-120的傳熱系數(shù)和CHF都是最高的。同時(shí),對(duì)不同的換熱方式進(jìn)行了比較,包括池沸騰,流動(dòng)沸騰,射流沖擊和流動(dòng)-噴射復(fù)合式沸騰換熱。
【作者單位】: 西安交通大學(xué)動(dòng)力工程多相流國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】: 射流沖擊 強(qiáng)化換熱 柱狀微結(jié)構(gòu) 換熱方式
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(No.51225601,No.51506169) 西安交通大學(xué)新教師啟動(dòng)計(jì)劃(No.DW010728K000000B) 中國(guó)博士后科學(xué)基金面上項(xiàng)目(No.2015M582653)
【分類(lèi)號(hào)】:TK124
【正文快照】: 0引言 微電子技術(shù)發(fā)展有兩大趨勢(shì),一是電子器件的小型化、集成化;二是高頻化、高運(yùn)算速度,由此帶來(lái)的電子器件高散熱率問(wèn)題越來(lái)越受到重視。傳統(tǒng)的風(fēng)冷散熱技術(shù)已達(dá)到瓶頸,不能滿(mǎn)足高散熱率的要求。沸騰換熱是一種有效的傳熱方式,在換熱面加工上微結(jié)構(gòu)則進(jìn)一步強(qiáng)化了換熱。
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2 ;[J];;年期
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,本文編號(hào):1117276
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