本文關鍵詞：毫米波化合物半導體材料研究進展

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【摘要】：毫米波集成電路成為毫米波系統(tǒng)應用中必不可少的核心技術,化合物半導體材料砷化鎵、磷化銦無疑在毫米波集成電路制造中占據(jù)重要地位,繼砷化鎵、磷化銦占據(jù)毫米波芯片襯底材料主流之后,以氮化鎵材料為代表的第三代半導體材料逐漸成為目前國際毫米波芯片制造的材料研究熱點。本文對以砷化鎵、磷化銦、氮化鎵為代表的毫米波化合物半導體材料技術及其發(fā)展,進行了總結與展望。
【作者單位】： 常州工學院;南京理工大學;
【關鍵詞】： 毫米波集成電路 化合物半導體 綜述 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵
【基金】：江蘇省科技項目資助(No.BRA2015076)
【分類號】：TN304.2
【正文快照】： 30~300 GHz的毫米波技術在無線通信、汽車電子、雷達遙感、射電天文、航空安檢等領域愈來愈不可或缺[1-3]。2011年起,美國運輸安全管理局(TSA)授權國內(nèi)各大機場使用唯一“先進成像安檢技術”——美國L-3公司提供的“Provision”毫米波安檢系統(tǒng)。2015年Google向外界展示了“基

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