發(fā)布時間：2017-08-16 11:20

  本文關(guān)鍵詞：交流阻抗譜在OLED器件中的應(yīng)用

  更多相關(guān)文章： 交流阻抗譜 有機(jī)半導(dǎo)體器件 等效電路 奈奎斯特阻抗曲線

【摘要】：相比于傳統(tǒng)LCD,OLED顯示技術(shù)憑借其能耗低、視角寬、對比度高、低成本等優(yōu)點在近幾年迅速占領(lǐng)市場,并在電子設(shè)備迅速發(fā)展的今天被廣泛認(rèn)可,被認(rèn)為是最有可能繼承和替代液晶產(chǎn)品的存在,對OLEDs的研究不僅在其效率和發(fā)光色比度上,同時也需要對其內(nèi)部的電學(xué)現(xiàn)象進(jìn)行深度的探索和優(yōu)化。交流阻抗譜技術(shù)因其對體系干擾小、測試頻率范圍廣、測試成本低、測試時間短等優(yōu)點正在被廣泛地應(yīng)用在多個領(lǐng)域。本論文主要通過運用交流阻抗譜技術(shù)來研究分析有機(jī)半導(dǎo)體器件的內(nèi)部電學(xué)特性:我們通過將F4-TCNQ作為空穴緩沖層制備有機(jī)電致發(fā)光器件以及單空穴載流子器件,對比得出增加F4-TCNQ空穴緩沖層可以增加空穴載流子的注入、提高有機(jī)電致發(fā)光器件的性能。為了驗證空穴緩沖層對ITO陽極的修飾作用,我們利用交流阻抗譜對制備的器件進(jìn)行測試,并選取了合適的等效電路結(jié)合阻抗數(shù)據(jù)對測試結(jié)果進(jìn)行擬合,肯定了F4-TCNQ空穴修飾層對陽極空穴注入勢壘的修飾優(yōu)化作用。為了進(jìn)一步研究利用交流阻抗譜研究有機(jī)半導(dǎo)體器件的內(nèi)部電學(xué)性質(zhì),我們以F4-TCNQ作為客體摻雜到m-MTDATA中制備成電學(xué)摻雜的單載流子器件,器件的電流密度是隨著摻雜濃度的增加而增加的。之后我們在描繪奈奎斯特阻抗曲線時發(fā)現(xiàn),電學(xué)摻雜情況的阻抗曲線呈現(xiàn)出來的是和簡單修飾結(jié)構(gòu)不一樣的結(jié)構(gòu),結(jié)合基礎(chǔ)物理學(xué)的知識和等效擬合數(shù)據(jù)確定了是由于摻雜產(chǎn)生的耗盡層所導(dǎo)致的在阻抗曲線中的不同,也確定了電學(xué)摻雜對器件性能的優(yōu)化和提升。最后,我們對比了不同材料做修飾層的器件的性能差異,通過等效電路的擬合數(shù)據(jù)所做的曲線計算下降斜率,我們發(fā)現(xiàn)隨著偏壓增加不同材料制備的單載流子器件的電導(dǎo)性的差距不斷增加,這反應(yīng)不同材料降低的注入勢壘不同導(dǎo)致同等情況下更多的注入載流子會導(dǎo)致更低的弛豫時間,進(jìn)而影響阻抗值的變化,另外還發(fā)現(xiàn)不同修飾層的材料會對有機(jī)層發(fā)生擴(kuò)散現(xiàn)象,并且擴(kuò)散的程度和增加空穴注入的能力成正比。我們利用交流阻抗譜技術(shù)結(jié)合有機(jī)半導(dǎo)體的知識分析有機(jī)半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能,通過等效電路擬合分析阻抗數(shù)據(jù),可以對器件內(nèi)部發(fā)生的變化有著更直觀的理解,從一定意義上這對我們以后利用阻抗譜研究有機(jī)半導(dǎo)體電學(xué)性能以及選擇合適的等效電路有指導(dǎo)作用。
【關(guān)鍵詞】：交流阻抗譜 有機(jī)半導(dǎo)體器件 等效電路 奈奎斯特阻抗曲線
【學(xué)位授予單位】：南京郵電大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號】：TN383.1
【目錄】：

• 摘要4-5
• Abstract5-8
• 第一章 緒論8-26
• 1.1 引言8
• 1.2 OLED器件的發(fā)展現(xiàn)狀8-10
• 1.3 交流阻抗譜技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀10-21
• 1.3.1 交流阻抗譜的概述和應(yīng)用10-14
• 1.3.2 交流阻抗譜的基礎(chǔ)原理14-21
• 1.4 Zsimpwin等效電路擬合法的原理與應(yīng)用21-26
• 第二章 交流阻抗譜研究OLED器件陽極界面修飾26-39
• 2.1 背景介紹26-27
• 2.2 實驗設(shè)計及器件制備27-29
• 2.2.1 實驗設(shè)計27-28
• 2.2.2 器件制備28-29
• 2.3 實驗結(jié)果與討論29-38
• 2.4 本章小結(jié)38-39
• 第三章 利用交流阻抗譜研究有機(jī)半導(dǎo)體電學(xué)摻雜39-58
• 3.1 背景介紹39
• 3.2 實驗設(shè)計及器件制備39-41
• 3.2.1 實驗設(shè)計39-40
• 3.2.2 器件制備40-41
• 3.3 實驗結(jié)果與討論41-57
• 3.4 本章小結(jié)57-58
• 第四章 交流阻抗譜研究不同界面材料的性能58-65
• 4.1 背景介紹58
• 4.2 實驗設(shè)計及器件制備58-59
• 4.2.1 實驗設(shè)計58-59
• 4.2.2 器件制備59
• 4.3 實驗結(jié)果與討論59-64
• 4.4 本章小結(jié)64-65
• 第五章 總結(jié)與展望65-67
• 參考文獻(xiàn)67-71
• 附錄1 攻讀碩士學(xué)位期間撰寫的論文71-72
• 附錄2 攻讀碩士學(xué)位期間參加的科研項目72-73
• 致謝73

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 史晨陽;文尚勝;田立新;黃偉明;夏云云;宋鵬程;;基于專利視角的我國OLED器件分析[J];照明工程學(xué)報;2014年03期

2 馬穎;韓薇;張方輝;袁桃利;劉丁涵;蔣謙;;發(fā)光層混合摻雜的白光OLED器件[J];液晶與顯示;2011年01期

3 王憶鋒;唐利斌;岳清;;OLED器件空間電荷限制電流模型的MATLAB分析計算[J];電子器件;2010年05期

4 季興橋,黎威志,鐘志有,王濤,蔣亞東;藍(lán)光OLED器件載流子復(fù)合區(qū)域的研究[J];激光與光電子學(xué)進(jìn)展;2005年07期

5 李新貝;張術(shù)鵬;李洪法;;基于ADN:TBPe發(fā)光層的藍(lán)光OLED器件[J];液晶與顯示;2007年05期

6 梁田靜;張方輝;丁磊;;多層氧化物復(fù)合陰極透明OLED器件[J];液晶與顯示;2012年01期

7 廖亞琴;甘至宏;劉星元;;空穴傳輸層摻雜SrF_2的高效率藍(lán)色磷光OLED器件[J];發(fā)光學(xué)報;2011年08期

8 張妍斐;趙謖玲;徐征;;通過插入Au薄膜改善綠光OLED器件的發(fā)光色純度[J];光譜學(xué)與光譜分析;2014年04期

9 季興橋,黎威志,鐘志有,高亭,王濤,蔣亞東;雙異質(zhì)型藍(lán)色OLED器件的研究[J];液晶與顯示;2005年03期

10 ;[J];;年期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 曲波;陳志堅;許峰;龔旗煌;;新型三嗪衍生物及其在色度穩(wěn)定的白光OLED器件中的應(yīng)用[A];第七屆全國光學(xué)前沿問題討論會論文摘要集[C];2007年

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 王秀如;多色OLED器件及設(shè)備研究[D];上海大學(xué);2006年

2 蔣泉;透明OLED器件及全彩PMOLEDs顯示系統(tǒng)的研究[D];電子科技大學(xué);2008年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前7條

1 程鴻雪;空穴直接注入型OLED器件的載流子傳輸與發(fā)光特性研究[D];電子科技大學(xué);2016年

2 楊濤;溶液過程制備高效率OLED器件及其roll-off現(xiàn)象研究[D];南京郵電大學(xué);2016年

3 陳科宇;交流阻抗譜在OLED器件中的應(yīng)用[D];南京郵電大學(xué);2016年

4 李雙宏;OLED器件銦封接關(guān)鍵技術(shù)研究[D];電子科技大學(xué);2013年

5 高娟;超薄層藍(lán)色磷光OLED器件及封裝工藝研究[D];電子科技大學(xué);2012年

6 張微;載流子注入與分布對OLED器件的影響研究[D];陜西科技大學(xué);2014年

7 夏傳陽;含三苯胺樹枝分子發(fā)光材料合成與電致發(fā)光性能研究/OLED器件的制作[D];蘇州大學(xué);2010年

，

本文編號：682994