發(fā)布時(shí)間：2017-08-08 14:36

  本文關(guān)鍵詞：富銦熔體生長(zhǎng)InP單晶的晶體缺陷及物理特性

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【摘要】：通過(guò)磷注入法合成并利用液封直拉法(LEC)生長(zhǎng)了富銦InP單晶,將晶錠進(jìn)行定向切割、研磨和拋光,得到InP拋光片。用金相顯微鏡、掃描電鏡、快速掃描光熒光譜(PL-Mapping)技術(shù)、高分辨率XRD射線衍射技術(shù)研究了富銦非摻InP單晶樣品特性。結(jié)果表明,在富銦條件下生長(zhǎng)的InP單晶會(huì)出現(xiàn)富銦夾雜,這種富銦夾雜可導(dǎo)致其周圍位錯(cuò)密度升高,同時(shí)富銦夾雜在晶片內(nèi)分布也是不均勻的,在晶片中心部分富銦夾雜的密度高,在邊緣部分密度低。對(duì)富銦夾雜形成及不均勻分布的原因進(jìn)行了分析,討論了富銦夾雜對(duì)PL-Mapping發(fā)光峰峰值的影響。
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院;中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所專用集成電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 磷化銦 液封直拉(LEC)法 晶體生長(zhǎng) 富銦夾雜 光熒光譜(PL-Mapping)
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51401186) 河北省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(F2014202184) 天津市自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(15JCZDJC37800)
【分類號(hào)】：TN304.2
【正文快照】： 0引言磷化銦(In P)是繼硅(Si)、砷化鎵(Ga As)之后一種非常重要的半導(dǎo)體材料,具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)。與硅相比,In P材料具有優(yōu)異的物理特性,如直接帶隙、電子遷移率高、抗輻射、熱導(dǎo)率高等。以In P為襯底制作的光電器件和微電子器件,廣泛應(yīng)用于光纖通信、衛(wèi)星通信、太陽(yáng)電池以及光電

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：640517