本文關(guān)鍵詞：基于GaN基HEMT結(jié)構(gòu)的傳感器件研究進(jìn)展

  更多相關(guān)文章： AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié) DEG GaN基HEMT傳感器 柵結(jié)構(gòu) 光探測(cè)器

【摘要】：GaN基高電子遷移率晶體管(HEMT)具有異質(zhì)結(jié)界面處的高二維電子氣(2DEG)濃度、寬禁帶、高擊穿電壓、穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)以及高的電子遷移率,這些特性使它發(fā)展起來(lái)的傳感器件在靈敏度、響應(yīng)速度、探測(cè)面、適應(yīng)惡劣環(huán)境上具備了顯著的優(yōu)點(diǎn)。本文首先圍繞GaN基HEMT的基本結(jié)構(gòu)發(fā)展起來(lái)的兩類(lèi)研究成熟的傳感器,對(duì)其結(jié)構(gòu)、工作機(jī)理、工作進(jìn)展以及優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了探討與總結(jié);而后,著重從改變器件材料及優(yōu)化柵結(jié)構(gòu)與柵上材料的角度,闡述了3種GaN基HEMT新型傳感器的最新進(jìn)展,其中,從材料體系、關(guān)鍵工藝、探測(cè)結(jié)構(gòu)、原理及新機(jī)理方面重點(diǎn)介紹了GaN基HEMT光探測(cè)器;最后,探索了GaN基HEMT傳感器件未來(lái)的發(fā)展方向。
【作者單位】： 北京工業(yè)大學(xué)光電子技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié) DEG GaN基HEMT傳感器 柵結(jié)構(gòu) 光探測(cè)器
【基金】：教師隊(duì)伍建設(shè)(PXM2016_014204_000017_00205938_FCG)青年拔尖項(xiàng)目(市級(jí)) 國(guó)家自然科學(xué)基金(61574011) 北京市自然科學(xué)基金(4142005) 北京市教委能力提升項(xiàng)目(PXM2016_014204_500018)資助
【分類(lèi)號(hào)】：TN386;TP212
【正文快照】： 1引言Ga N基HEMT傳感器是基于Al Ga N/Ga N異質(zhì)結(jié)處的二維電子氣(2DEG)易受表面態(tài)控制的特性而發(fā)展起來(lái)的一種新型傳感探測(cè)器件。在Ga N基HEMT結(jié)構(gòu)中,異質(zhì)結(jié)Al Ga N/Ga N界面處會(huì)形成一個(gè)2DEG的表面通道,勢(shì)阱中的2DEG受控于柵極電壓[1],且這層2DEG十分接近表面,對(duì)表面的狀態(tài)十

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3 高仁t，

本文編號(hào)：640470